英伟达签HBM大单提振芯片股，科创芯片ETF易方达涨2.45%

截至6月9日10点8分，上证指数涨0.26%，深证成指涨1.19%，创业板指涨1.82%。电子化学品、PCB概念、元件等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片ETF易方达（589130）涨2.45%，成分股杰华特（688141.SH）涨停，富创精密（688409.SH）涨超10%，东芯股份（688110.SH）、沪硅产业（688126.SH）、南芯科技（688484.SH）、纳芯微（688052.SH）、仕佳光子（688313.SH）涨超5%，华润微（688396.SH）、澜起科技（688008.SH）、乐鑫科技（688018.SH）等上涨。

消息面上，英伟达CEO黄仁勋访韩与SK海力士达成数千亿美元长期HBM供货协议，确认AI算力及HBM紧缺周期将延续数年。三星、SK海力士、美光同步推进先进封装与晶圆厂扩产，带动半导体工程、设备及耗材全链条需求释放。

华泰证券表示，SemiAnalysis于6月4日报告指出，英伟达将计划于3Q26开售的新一代AI服务器VeraRubinNVL72的CPU侧内存用量减半。尽管报告说明该调整由三大原厂存储供给紧张所驱动，仍引发投资人对“AI存储需求见顶”的担忧，6月5日，美光、闪迪、西部数据、希捷等美股存储板块普跌（闪迪-11.2%、美光-9.5%、西部数据-8.5%、希捷-6.6%）。基于对相关报告的分析，我们认为：1）降配本质上是供给端硬约束下原厂产能配给的“果”，而非算力需求走弱的“因”，若降配，直接影响相当于2026/2027年全球DRAM需求分别下降约1.6%/4.2%；2）若降规属实，我们仍预计2027年存储供需缺口降规前约-7%、降规后约-3%，存储上行周期不改；3）我们认为短期回调提供高拥挤交易再平衡良机，继续看好SK海力士在HBM保持份额领先、三星凭IDM一体化能力在HBM4扩大份额。

科创芯片ETF易方达（589130）一键布局科创板芯片产业龙头，成长性优势凸显。