英伟达签HBM大单，科创芯片设计ETF易方达涨2.36%

截至6月9日10点7分，上证指数涨0.24%，深证成指涨1.11%，创业板指涨1.71%。电子化学品、PCB概念、元件等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片设计ETF易方达（589030）涨2.36%，成分股杰华特（688141.SH）涨停，XD芯朋微（688508.SH）、东芯股份（688110.SH）、南芯科技（688484.SH）、纳芯微（688052.SH）涨超5%，乐鑫科技（688018.SH）、澜起科技（688008.SH）、慧智微-U（688512.SH）、佰维存储（688525.SH）、思瑞浦（688536.SH）等上涨。

消息面上，英伟达CEO黄仁勋访韩与SK海力士达成数千亿美元长期HBM供货协议，确认AI算力及HBM紧缺周期将延续数年。三星、SK海力士、美光同步推进先进封装与晶圆厂扩产，带动半导体工程、设备及耗材全链条需求释放。

翰宇国际律师事务所表示，长期的多年供应协议在关键半导体领域越来越普遍。这在AI相关的供应链中尤为明显，高带宽内存（HBM）供应和先进封装能力的限制导致了争夺确保长期产能的竞争加剧。长期合同背后的商业逻辑是在一个对许多大型客户（尤其是超大规模企业和其他AI基础设施提供商）而言，价格可能次要的世界中确保供应安全。然而，在波动性市场进入更长期的承诺，包括针对差异化尖端设备和更商品化的内存领域，需要仔细评估风险。

灼识咨询表示，全球智能设备数量已突破数十亿台并持续普及，对实时数据处理的庞大需求正推动计算架构迎来变革。边缘计算作为分布式开放平台，可将数据处理与存储能力下沉至网络边缘，构建以低时延、高能效、强隐私保护为特征的去中心化计算范式。而边缘AI推理芯片正是这一转型的核心。

科创芯片设计ETF易方达（589030）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该指数中数字芯片设计权重占比超76%，或充分受益于产业上行趋势。