芯联集成：预计嵌入式碳化硅模块将在2027年前后迎来量产应用新阶段

4月21日，芯联集成-U（688469.SH）发布投资者关系活动记录表。其中提到，在算电协同方面，公司已形成深度战略布局，不仅聚焦SST技术前沿，更同步布局一、二、三级服务器电源全产品矩阵。工艺平台层面，高压BCD工艺持续迭代升级，8英寸SiC产线规模化量产稳步推进。在超高压功率器件布局上，公司已具备3300V/4500V超高压IGBT量产能力，并完成650V-3300V全电压段SiC MOSFET产品全覆盖。

关于SiC嵌入式工艺布局，公司指出碳化硅嵌入式方案是将SiC功率芯片通过基板内嵌、无键合互联、三维集成等方式实现高集成度的先进模块技术。预计嵌入式碳化硅模块将在2027年前后迎来量产应用的新阶段，目前公司嵌入式SiC方案正在送样验证中。

对于未来两年的资本开支安排，公司表示将保持稳定的资本开支，产能聚焦三大方向：8寸碳化硅、模拟IC和MCU相关的12寸产线以及功率模组封装。公司在资本开支投入始终保持审慎态度，不希望进一步增加折旧压力。

关于产品价格情况，公司已在今年一季度根据市场情况对MOSFET产品进行了价格调整。IGBT产品从去年四季度至今年一季度价格走稳，近期市场需求有较高的增长趋势。

在MCU业务方面，公司自2022年开始研发和布局车载MCU产品。目前节点控制MCU产品已完成研发并量产；车载域控制MCU产品已进入产品验证阶段，2026年下半年望量产。