SK海力士计划在HBM5等下一代产品中应用iHBM

据THE ELEC 5月26日报道，SK海力士正式发布解决高带宽内存（HBM）发热问题的新技术iHBM。该技术在HBM封装内部集成一体化热控制元件（ICE），采用高导热率硅材质，精准部署于发热最严重的D2D PHY（芯片对芯片物理层）上方，构建专属散热通道。

D2D PHY为HBM基底芯片与GPU等AI芯片间高速数据通信的物理接口。相比现有方案，iHBM使热阻降低30%，可保障高温高负载环境下的稳定运行。传统HBM依赖核心芯片间接散热，随堆叠层数与速度提升，散热瓶颈日益突出，iHBM从结构层面有效破解这一难题。

该技术基于SK海力士成熟的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）晶圆级封装（WLP）工艺实现量产，通过高散热环氧塑封料（EMC）粘合多层DRAM芯片，经高温回流焊接与热压键合完成封装。WLP可在晶圆未切割前完成封装与测试，显著缩小尺寸并优化电学性能。

SK海力士计划在HBM5等下一代产品中应用iHBM，以满足高性能计算（HPC）及AI数据中心等超高集成、高带宽场景的热管理需求，提升系统整体稳定性与效率。

封装开发负责人李康旭（이강욱）副社长表示：“iHBM融合内存设计与先进封装技术，可提前满足AI环境需求，进一步巩固我司在AI内存领域的领先地位。”