澜起科技：计划2026年完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发

5月26日，澜起科技（688008.SH）发布投资者关系活动记录表。

在公司产品进展方面，今年第一季度随着DDR5渗透率提高且子代持续迭代，公司DDR5 RCD芯片出货量显著增加，其中第三、第四子代RCD芯片出货占比进一步提升。公司已完成DDR5第五子代RCD芯片量产版本研发，正在开展DDR5第六子代RCD芯片的工程研发。

关于自研SerDes技术，公司表示高速SerDes技术是公司核心技术之一，依托这项技术已成功开发出分别采用32GT/s和64GT/s的PCIe 5.0和6.0 Retimer芯片，目前128GT/s的SerDes技术也在研发中，未来将应用于PCIe 7.0 Retimer芯片。

在AI发展对内存互连芯片影响方面，公司指出未来市场增长的直接驱动因素包括内存模组数量增长及内存互连芯片价值量增加。具体体现在CPU在AI服务器用量增加将推动内存模组需求增长，CPU支持内存通道数增加将提升搭配内存模组数量，CPU多核化趋势将推动MRDIMM需求，以及DDR6内存模组或将需要更多、更复杂的内存互连芯片。

对于MRCD/MDB芯片未来需求，公司表示MRDIMM目前仍处于第二子代产品规模试用阶段，行业预期未来两到三年将从规模应用起步，进入快速爬升阶段。公司于2025年1月推出第二子代MRCD/MDB芯片，在最近两个季度实现出货量显著提升，并计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发。

在PCIe Retimer产品方面，公司目前出货以Gen 5产品为主，已于2025年1月推出PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer芯片并向客户送样，目前积极配合客户测试验证。行业预期2027年PCIe 6.0 Retimer芯片将进入正式规模应用阶段。