北京君正：3D DRAM正在紧密研发中，4T产品因产能趋紧预计下半年投产

5月27日，北京君正（300223.SZ）发布投资者关系活动记录表。关于3D DRAM研发进展，公司表示正在紧密研发中。一方面因为有ISSI的DRAM设计团队，颗粒设计主要由存储业务部门进行，同时安排计算技术部门进行DDR控制器设计，配合存储团队做base die部分，两个团队一起最终提供完整解决方案。3D DRAM主要面向边缘端大模型，但由于目前DRAM产能比较紧，投片进度受到一些影响，目前看有所延迟。

在新产品研发方面，公司今年打算投的产品是4T产品，因为产能趋紧，目前看得到下半年。应用场景主要在智能视觉领域，今年预计给客户提供样品，批量销售收入预计要到明年。下一步公司将继续推出更高算力产品，面向端侧应用，可以跑本地大模型。

计算芯片市场拓展方面，公司正在积极拓展计算芯片市场，AIOT逐渐打开更多市场，不断进入打印机、LED屏等市场，同时加大端侧算力研发投入，增加了AI MCU产品品类。