日均盈利约3亿，“链主”科创板上市在即，国产存储或迎生态跃迁

6月12日，证监会的一纸批复，让长鑫科技集团股份有限公司（以下称“长鑫科技”）的科创板IPO尘埃落定。从2025年底获受理到注册生效，165天‌的速度，在半导体赛道并不多见。

长鑫科技并不是一家普通的芯片公司，它是国内唯一实现DRAM（动态随机存取存储器）设计制造一体化且规模量产的企业。

招股书显示，2026年上半年，公司预计实现归母净利润500亿元至570亿元，同比暴增逾22倍。它的过会，意味着A股将要迎来第一只真正的国产存储“链主”。

“V型”财务反转线

招股书上“成绩单”亮眼。2026年一季度，长鑫科技营业收入达到508亿元，净利润达330.12亿元，单季度盈利抹平了过去三年公司的累计亏损。

由于日均盈利约3亿元，2026年一季度报告期内，长鑫科技位于A股净利润排行榜前列。

长鑫科技的财务曲线，是一条典型的“V型”反转线。2022年至2024年，受存储行业整体行情走弱、产线建设高额折旧，以及高强度研发投入的影响，长鑫科技三年累计亏损超317亿元。

拐点出现在2025年下半年。2025年，长鑫科技实现营收617.99亿元，首度扭亏为盈，归母净利润达18.75亿元。公司表示，全球算力需求持续增长叠加主要厂商产能调配，DRAM产品供不应求，价格大幅上涨。

招股书显示，目前，长鑫科技有3座12英寸晶圆厂，月产能28万片至30万片，计划2026年底扩产至40万片。从产品结构来看，DDR5（第五代双倍速率同步动态随机存取存储器）占比已达65%（2025年底），良率突破90%，性能对标国际一线产品。

“在上游的核心存储设计环节，长鑫作为DRAM领域的核心厂商，早已完成了从19nm到17nm，再到更先进工艺节点的迭代”，6月15日，中国城市发展研究院投资部副主任袁帅向财闻表示：“长鑫科技的产能爬坡速度在加快。”

另一方面，招股书显示，在AI算力需求驱动下，长鑫科技的HBM（高带宽内存）产品开发顺利，HBM2E已进入客户验证阶段，HBM3产品预计2026年下半年实现量产。

“不少企业的嵌入式存储、通用存储产品已经进入了主流消费电子、工业控制甚至部分车载供应链。”袁帅介绍称，在最高端的服务器级存储领域，还处在客户验证和小批量供货的阶段。

“深度绑定”的关联交易

过会消息公布后首个交易日，兆易创新（603986.SH）跳空高开，周涨幅一度超过30%，成交额突破330亿元。市场用真金白银投票，逻辑很清晰——兆易创新是长鑫科技在A股最亲密的“战友”。

财闻注意到，上述两家公司，均由同一人“掌舵”。朱一明同时担任兆易创新董事长兼控股股东和长鑫科技董事长。

袁帅表示，“同一位董事长、两个上市公司”的结构，让兆易创新在国产存储产业链中占据了独一无二的位置：既有设计能力，又有来自长鑫科技的稳定DRAM晶圆供应。

关联交易额是最好的注脚。2023年至2025年，上述2家公司的关联采购从7.64亿元攀升至11.82亿元。根据长鑫科技招股书预测，2026年全年关联采购额度将达到57.11亿元，4年增长近6.5倍。

从体量来看，兆易创新的一季度归母净利润为14.61亿元，同比增长522.79%，虽创历史新高，但与长鑫科技的净利润规模相比，差距仍超过20倍。

“两家公司之间巨大的体量差异，意味着长鑫科技在产业链上处于绝对的主导地位。”6月15日，眺远营销咨询董事长高承远向财闻表示，兆易创新的业绩增长高度依赖长鑫科技的DRAM晶圆供应，一旦后者产能调配生变或定价策略调整，前者的成本结构和盈利将承受显著影响。

需要指出的是，兆易创新持有长鑫科技1.8%的股份，位列第八大股东。目前，长鑫科技已成为全球第四大DRAM厂商，掌握主流DRAM制造工艺，产品覆盖消费级、工业级和企业级市场；兆易创新在NOR Flash领域稳居全球前三，同时布局利基型DRAM市场。

其中，兆易创新的利基DRAM业务在一季度实现环比翻倍以上增长，对总收入的贡献提升至1/3左右。

但硬币的另一面同样扎眼：巨额的关联采购，意味着兆易创新对单一供应商的依赖度越来越高。

财闻注意到，在长鑫科技过会前夕，朱一明通过减持套现超20亿元。2026年，兆易创新与长鑫科技的关联采购额度预计将达57.11亿元，较2023年的7.64亿元增长近6.5倍。

封测与模组：谁是真正的“同步受益者”？

长鑫科技的过会，让整条封测和模组链条上的A股公司都站到了聚光灯下。

在封测环节，最典型的代表是深科技（000021.SZ）。它是国内最大的DRAM内存芯片封装测试企业，也是长鑫科技封测端最重要的合作伙伴之一。2025年，深科技存储半导体业务营收40.91亿元；2026年一季度，营收37.24亿元，同比增长10.67%，净利润增幅高达35.35%。

关键的动作发生在过会前夕。2026年5月底，深科技公告称，全资子公司深圳沛顿和控股子公司合肥沛顿存储，拟投资14.7亿元实施高端存储芯片封测产能扩充项目，预计每月新增封装产能超3300万颗晶粒。

袁帅认为，这个时点的选择并非巧合，长鑫科技晶圆放量在即，封测必须同步跟进。

再看模组环节，德明利（001309.SZ）、佰维存储（688525.SH）、江波龙（301308.SZ）一季度的业绩飙升。报告期内，德明利营收同比暴增502.08%，净利润增长近50倍；佰维存储、江波龙从同期亏损到一举扭亏，净利润分别达到28.99亿元、38.62亿元。

袁帅向财闻表示，上述模组公司之所以能收获如此惊人的增幅，除了长鑫科技带来的晶圆供给保障，更大的背景是存储芯片价格的历史性暴涨。

根据集邦咨询数据，2026年一季度，普通型DRAM合约价环比上涨93%至98%，NAND Flash合约价上涨55%至60%。

“第四极”崛起，与寡头垄断的差距

如果说，长鑫科技已展示出产业链内部的“绝对体量”，那么，对比全球DRAM三巨头——三星电子（005930.KS）、SK海力士（000660.KS）、美光科技（MU.US），则会反映出长鑫科技在全球舞台上的“相对位置”。

据Omdia数据，按2025年第四季度DRAM销售额统计，三星电子、SK海力士、美光科技的市占率分别为33.96%、34.48%和23.41%，三家企业合计超过90%。

其中，长鑫科技的全球市场份额增至7.67%，位列全球第四位。另据CFM闪存市场数据，2026年第一季度，全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%，再创历史季度新高。

海外三巨头同样“躺赢”超级周期。在长鑫科技业绩暴涨的同时，SK海力士一季度营业利润同比增长405%，三星电子的营收和利润均创下季度历史新高。

“在制程工艺方面，长鑫科技目前量产主力为19nm，已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产。”高承远向财闻介绍称，长鑫科技采取“跳代研发”策略，从成立起就不依托低端制程，

此外，高承远表示，长鑫科技的主力制程约落后国际领先水平约1.5至2年，正在缩小代际差距。“如今已完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品的全面覆盖。”

规模与成本：国产化的结构性优势

袁帅认为，这轮涨价的本质，是AI服务器需求、HBM对产能的挤占以及大客户长约锁定供应，构成了更为持久的结构性支撑。

财闻注意到，交易所上市委在现场问询中，已聚焦全球DRAM产能扩建、竞争格局、市场需求预测及业绩波动性。长鑫科技在回复中坦承，DRAM行业具有强周期性，2015至2025年间产品价格在1.78美元/GB至7.89美元/GB间大幅波动。

招股书显示，目前，长鑫科技拥有3座12英寸晶圆厂，月产能30万片，并计划在2026年底扩至40万片。

“即便如此，长鑫的产能也远低于国内的庞大市场需求。”袁帅认为，三巨头约80%的先进产能正在转投HBM（高带宽内存），客观上压缩了普通DRAM的供给，为长鑫科技腾出了10%至15%的市场空间。

招股书显示，长鑫科技的本土化采购比例已达42%，较2025年提升15个百分点。袁帅认为，结构性优势，成为长鑫科技在价格下行周期中抵御波动的护城河。

值得一提的是，长鑫科技在招股书中反复强调称，“随着产能持续释放，其规模正快速追赶国际前三厂商，销量的高速增长，增强了抗周期波动能力。”

过会之后，长鑫科技即将正式登陆科创板。295亿元的募资规模，将使其成为2026年以来A股最大IPO，也是科创板史上仅次于中芯国际（688981.SH）的第二大IPO。长鑫科技招股说明书显示，此次募集资金将全部投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发三大项目。

市场观点指出，长鑫科技的上市不仅利好上游设备，其对产业链的拉动效应将贯穿设计、制造、封测至材料全环节。比如，存储芯片制造需要高纯度硅片、电子特气、光刻胶等关键材料，沪硅产业（688126.SH）等国内材料企业将持续受益。封测端，长鑫科技产能提升后对先进封装的需求增长，将推动国内封测企业的存储封装业务放量。