韩国6月内存半导体出口持续强劲增长

6月22日，财闻海外资讯消息，韩国关税厅22日发布的TRASS临时通关数据，2026年6月1日至20日主要内存半导体出口额已超230亿美元，占5月全月371.6亿美元总业绩的60%以上。受AI供需紧张推动，出口金额与单价同步大幅上涨，6月全月出口总额预计达380亿至420亿美元，有望突破历史纪录。

其中，高带宽内存（HBM）供应短缺带动连锁效应，MCP（HBM）出口环比增长51%，SK海力士等HBM3E与HBM4产能紧张持续。因晶圆向HBM倾斜，通用DRAM供应减少，单价同比飙升两至三倍，叠加PC与移动终端复苏，出口显著增强。

NAND闪存与SSD因AI推理服务器建设扩张，月度增长25%–28%，支撑AI内存周期可持续性。内存半导体在半导体出口总额中占比已从70%升至90%，整体半导体出口总额预计为420亿至460亿美元。

韩华投资证券研究员Park Joon-young表示，行业正依托长期供应协议（LTA）及HBM优势抵御波动，即便利润回调，亦难现过去营业利润大幅下滑局面。