韩国预计在五年内将DRAM生产能力翻倍 半导体设备板块拉升 创元科技等多股涨停

6月29日，半导体设备板块午后再度拉升，创元科技（000551.SZ）涨停，华海清科（688120.SH）涨超10%，均创历史新高，此前金海通（603061.SH）、华亚智能（003043.SZ）、柏诚股份（601133.SH）涨停，正帆科技（688596.SH）、京仪装备（688652.SH）、华峰测控（688200.SH）、富创精密（688409.SH）等快速冲高。

消息面上，韩国总统李在明在青瓦台主持召开会议。届时，三星电子会长李在镕和SK集团会长崔泰源将共同出席，正式宣布一项在未来10年内总额逼近2000万亿韩元的跨时代本土投资计划。

该计划的核心是打破传统的首都圈集中模式，向以全罗道为中心的西南地区进行大举投资。其中，三星电子计划将光州原空军基地选为半导体前道工序晶圆厂的核心选址，预计建设4-5座晶圆厂；SK海力士也将在光州打造4-5座前道晶圆厂。仅在半导体新设项目上，两家巨头的投资额预计将各达600万亿韩元，远超此前京畿道龙仁集群的规模。

据报道，SK海力士正在韩国清州P&T6厂区导入更多后段制程设备，为HBM4大规模量产进行最后阶段准备。美光在纽约首座晶圆厂计划2030年投产，爱达荷州首厂预计2027年开始DRAM生产；三星也宣称投入高达110万亿韩元以支持HBM4技术的发展。此外，上周苹果宣布上调MacBook与iPad售价，以缓解内存芯片涨价带来的成本压力。

韩国政府表示，预计将投资约800万亿韩元在韩国西南部建设四座芯片工厂，三星电子、SK海力士将分别新建两座晶圆厂；预计未来15年在新一代存储、边缘人工智能、国防等芯片领域投资至少30万亿韩元。韩国官员表示，预计在五年内将DRAM生产能力翻倍。