韩国大手笔布局先进存储产能打开特气增量 电子特气板块午后拉升
电子特气概念午后拉升,昊华科技涨停,受海外晶圆扩产与气体量价齐升驱动。
6月29日午后,电子特气概念再度走强,昊华科技(600378.SH)直线涨停,此前凯美特气(002549.SZ)、雅克科技(002409.SZ)已封涨停,正帆科技(688596.SH)、南大光电(300346.SZ)涨幅超14%,金宏气体(688106.SH)、华特气体(688268.SH)、广钢气体(688548.SH)等同步冲高。
消息面上,韩国宣布投入800万亿韩元建设西南部4座晶圆厂,三星与SK海力士各新建两座先进存储产线,聚焦HBM、3D NAND及边缘AI芯片,未来15年持续加码,五年内DRAM产能将翻倍。HBM多层堆叠与高层数闪存推动六氟化钨、高纯CO₂、刻蚀混合气消耗大幅上升,单片芯片耗气量为普通芯片的2至4倍。海外晶圆厂大规模建设带动电子特气长期需求,耗材成长逻辑获资金重估。
同时,日本及海外高端产能关停、钨原料出口管控收紧致全球货源紧缺,6N级六氟化钨报价达220–300万元/吨,较4月涨幅超190%,7N长协价突破330万元/吨。

