三星HBM4E良率突破70% 第七代AI内存开发进入稳定阶段
财闻
2026-07-01 15:17:34
业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛,而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段,70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。
7月1日,财闻海外资讯消息,三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS(器件解决方案)部门内部经营说明会上表示,HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。
业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛,而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段,70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时,他在同一场合透露,下一代10纳米级第七代DRAM工艺(D1d)在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势,并计划于今年11月完成生产准备认证(PRA)。

