国内科技储能政策落地，全球AI存储、光互连、先进封装同步释放产业动态

7月10日，昨日国内产业政策、海外科技行业迎来多条重磅消息。

两院院士大会第二次全体会议上，丁薛祥强调，十五五是科技强国攻坚期，要落实科技部署，加快高水平科技自立自强。同日国务院印发《“十五五”碳达峰行动方案》，明确2030年新型储能装机力争达3亿千瓦，虚拟电厂调节能力超5000万千瓦，新能源汽车保有量占比目标30%。

海外存储龙头美光宣布，2035年前美国本土总投资将超2500亿美元，目标本土 DRAM 产能占比提升至40%，加码 AI 存储需求。国内算力领域，华为联合20余家产业链伙伴启动 OPEN NPO 项目，落地国内首个 NPO 近封装光学光互连 MSA，统一高速光互连标准。

Meta（META.US） 计划9月量产自研 Iris AI 芯片，明年算力翻倍至14吉瓦，已与三星、闪迪（SNDK.US）、住友电工签订长期供应链协议。半导体封装端出现调整，三星、SK 海力士暂缓 HBM4混合键合工艺导入，暂沿用传统热压键合，混合键合预计最早用于16层 HBM4E，调整源于行业放宽 HBM 厚度标准、高堆栈客户需求延后。