存储扩产催化需求，半导体设备ETF易方达涨2.46%

截至7月10日10点27分，上证指数涨0.63%，深证成指涨0.91%，创业板指涨0.14%。快手概念、DRG/DIP、医疗服务等板块涨幅居前。

ETF方面，半导体设备ETF易方达（159558）涨2.46%，成分股至纯科技（603690.SH）涨停，上海合晶（688584.SH）、艾森股份（688720.SH）涨超10%，华海诚科（688535.SH）、有研硅（688432.SH）、有研新材（600206.SH）、雅克科技（002409.SZ）涨超5%，矽电股份（301629.SZ）、中微公司（688012.SH）、北方华创（002371.SZ）等上涨。

消息面上，长鑫科技披露科创板上市招股意向书，拟募资295亿元，市场普遍预期其上市后市值或在3万亿-5万亿区间。这一事件被视为全球存储领域进入新一轮扩产周期的标志性信号，直接催化了半导体设备板块的市场情绪。上证报7月10日指出，全球存储扩产开启新一轮设备采购周期，成为本轮行业主要的催化因素，随着HBM、高层数3D NAND等先进存储持续扩产，上游刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等核心设备需求同步增长。

广发证券表示，存储扩产有望带来显著需求增量，加剧供不应求现状。六氟化钨是半导体金属化工艺无可替代的核心材料，在3DNAND闪存中，随着层数从128层向230层以上跃迁，垂直通道的钨插塞用量呈倍数增长；在先进逻辑芯片中，接触孔和通孔的钨填充几乎是唯一选择。受益于半导体先进制成迭代、存储技术升级和AI浪潮，六氟化钨需求量快速从20年的4620吨增长至25年的8901吨。26年AI浪潮持续，核心存储企业已开始大规模扩产，三星、SK海力士宣布千亿美元级投资扩产计划（三星为2655万亿韩元，美光为1100万亿韩元），进而将带来六氟化钨等上游材料显著需求增量。

国金证券表示，全球AI算力与HBM存储产能扩张带动半导体设备需求高景气，后道测试与前道量检测双赛道成长确定性突出。产业链维度，测试是中游封测核心质控环节，测试机在后道测试设备中价值占比约63%；韬定律重构产业价值分配，后道FT测试设备受3D堆叠、Chiplet技术驱动，测试复杂度与单机价值大幅提升，预计2026E-2030E年全球市场CAGR达7.5%。而前道量检测设备贯穿晶圆全制程质控，在全球半导体设备市场价值占比13%，预计2026E-2030E年全球市场CAGR为10.8%。目前两大赛道均被海外龙头高度垄断，存储测试机双巨头合计全球市占率达99%，而国内量检测设备国产化率仅1%-10%，替代进度垫底。随着下游存储产能扩容、海外设备交付紧缺叠加技术持续突破，FT测试设备与量检测设备国产替代空间广阔，重点推荐具备核心技术量产能力的FT成品测试设备国内企业与前道量检测设备本土核心供应商。

半导体设备ETF易方达（159558.SZ）跟踪半导体材料设备指数（931743.CSI），是国内为数不多聚焦半导体设备和材料环节的指数产品，被市场称为国产AI算力和存储涨价周期的“卖铲人”，前五大权重股包括中微公司、北方华创、拓荆科技、长川科技、华海清科。