北京君正上半年净利预增逾4倍,存储芯片景气上行验证,关注利基型DRAM与设计环节弹性
板块内部分化明显,存储设计方向表现突出。北京君正的超预期业绩有望带动市场对国内存储芯片设计板块的盈利预期上修,为存储芯片周期上行提供业绩层面的有力佐证。
7月13日,北京君正(300223.SZ)发布2026年上半年业绩预告,预计净利润同比增长431%至531%,主要受益于存储芯片需求旺盛,DRAM产品售价涨幅较大。这一业绩预告是当前存储芯片行业高景气度的直接验证,尤其是利基型DRAM市场的供需紧张格局持续。7月14日早盘,北京君正高开报199.84元,较前一日收盘价190.17元上涨5.1%;兆易创新(603986.SH)报561.53元,涨1.9%;江波龙(301308.SZ)报526.38元,涨0.8%。芯片ETF易方达(516350)报2.04元,较前一日下跌1.2%,板块内部分化明显,存储设计方向表现突出。北京君正的超预期业绩有望带动市场对国内存储芯片设计板块的盈利预期上修,为存储芯片周期上行提供业绩层面的有力佐证。
一、利基型DRAM供需紧张持续,北京君正业绩弹性充分释放
北京君正是国内利基型DRAM和SRAM领域的代表性企业,产品覆盖DDR2、DDR3、DDR4等利基型DRAM以及Mobile(BEEP.US) DRAM等品类,广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备等领域。2026年上半年净利润同比增长431%至531%,核心驱动力(920275.BJ)来自DRAM产品售价的显著上涨。利基型DRAM市场与主流DRAM市场存在周期错位,当三星、海力士等大厂将产能转向HBM和DDR5时,利基型DRAM的供给反而收紧,形成结构性涨价。北京君正在这一细分领域的市场份额和产品布局使其充分受益于本轮涨价周期,下半年若存储价格维持高位,全年业绩有望进一步超预期。
二、存储芯片周期上行从主流向利基传导,设计环节业绩弹性最大
本轮存储芯片周期上行始于2025年下半年,以HBM和DDR5为代表的高端产品率先涨价,随后逐步传导至DDR4、DDR3等利基型产品。北京君正业绩预告的亮眼表现,验证了涨价已从主流产品向利基型产品有效传导。在存储芯片产业链中,设计环节的业绩弹性最大,因为Fabless模式下价格上行直接转化为利润增量,而晶圆代工成本相对刚性。兆易创新在NOR Flash和MCU领域的布局、江波龙在存储模组和品牌SSD的积累、佰维存储(688525.SH)在嵌入式存储和固态硬盘的出货,均有望在存储价格上行周期中实现不同程度的业绩改善。
三、汽车电子与AI终端双轮驱动,利基型存储需求结构持续优化
北京君正的存储芯片在汽车电子领域有较深布局,车规级DRAM和SRAM产品已进入多家Tier1供应商体系。随着智能座舱、自动驾驶域控制器等汽车电子化率的提升,单车存储用量持续增长,为利基型DRAM提供了结构性增量需求。同时,AI终端(AI PC、AI手机、智能穿戴)的放量也推动了对低功耗DRAM和NOR Flash的需求,存储芯片的需求结构正在从传统的消费电子单轮驱动,转向汽车电子和AI终端双轮驱动。这一需求结构的优化有助于延长存储芯片周期的上行持续时间,降低周期性波动风险。
四、核心标的逐一拆解
北京君正:国内利基型DRAM龙头,产品覆盖DDR2/DDR3/DDR4、Mobile DRAM、SRAM等,在汽车电子和工业控制领域市场份额领先。公司采用Fabless模式,与全球主要晶圆代工厂保持稳定合作。2026年上半年净利润预增431%至531%,DRAM涨价是核心驱动力。7月14日早盘报199.84元,较前一日190.17元上涨5.09%。
兆易创新:国内NOR Flash和MCU双龙头,NOR Flash全球市场份额排名前列,产品覆盖从低容量到高容量的全系列。公司DRAM业务通过合资方式布局,已进入利基型DRAM市场。存储芯片价格上行直接增厚NOR Flash和DRAM业务的利润。7月14日早盘报561.53元,较前一日550.8元上涨1.95%。
江波龙:国内存储模组和品牌SSD龙头,旗下拥有雷克沙(Lexar)等消费级存储品牌,产品覆盖嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线。存储芯片涨价周期中,模组环节同步受益于价格上行和库存增值。7月14日早盘报526.38元,较前一日522.04元上涨0.83%。
佰维存储:国内嵌入式存储和固态硬盘领域的重要企业,产品广泛应用于智能手机、平板电脑、PC等消费电子终端,同时在工业级和车规级存储领域有所布局。公司封装测试能力较为完整,受益于存储芯片量价齐升。7月14日早盘报340.54元,较前一日339.49元上涨0.31%。
澜起科技(688008.SH):全球内存接口芯片龙头,DDR5世代内存接口芯片(RCD、MDB)市场份额全球领先,PCIe Retimer芯片已进入量产阶段。内存接口芯片需求与DRAM出货量高度正相关,存储芯片周期上行直接拉动公司产品出货量。7月14日早盘报253.98元,较前一日252.79元上涨0.47%。
五、关注思路
北京君正业绩预告有三重产业逻辑值得关注:一是利基型DRAM涨价已从主流产品有效传导,验证了存储芯片周期上行的广度和深度,利好国内存储芯片设计板块的整体盈利预期;二是汽车电子和AI终端为利基型存储提供了结构性增量需求,需求结构优化有助于延长周期上行时间;三是存储芯片设计环节的业绩弹性最大,Fabless模式在价格上行周期中利润释放最为充分。
信创ETF易方达(159540)跟踪国证信息技术创新主题指数,覆盖信创产业链中的芯片、操作系统、数据库、中间件等环节,存储芯片为信创基础设施的重要组成部分,最新规模约3亿元。7月14日早盘报2.3元,较前一日2.33元下跌1.37%。芯片ETF易方达(516350)跟踪中证芯片产业指数,覆盖半导体设计、制造、设备、封测等全产业链环节,最新规模约28.09亿元,7月14日早盘报2.04元,较前一日2.06元下跌1.2%。北京君正业绩对存储芯片设计环节的催化更为直接,芯片ETF在半导体全产业链中的覆盖更为均衡,信创ETF在国产替代逻辑上形成补充映射。

