艾森股份：面向存储、逻辑、功率器件等场景的光刻胶产品，逐步进入研发或验证阶段

7月16日，艾森股份（688720.SH）发布投资者关系活动记录表，公司表示上半年整体经营情况保持良好态势，国际国内各项业务有序推进中。公司始终坚持国产替代核心战略，依托自主核心技术持续深耕细分赛道，加速拓展市场份额，核心产品的市场渗透率与行业认可度提升。具体经营业绩情况请关注公司相关公告。

关于先进封装光刻胶和晶圆制造光刻胶的差异及公司产品布局，公司指出光刻胶是芯片制造必不可少的图形转移过程材料。晶圆制造光刻胶主要针对芯片前道制程，其核心作用是在硅片上刻出微米、亚微米级到纳米级的互联电路和晶体管电路，追求高分辨率与低缺陷，以薄膜体系为主，同时要求金属离子杂质控制在ppb级，具备高灵敏度、高刻蚀抗性。先进封装光刻胶针对芯片后道制程，其核心作用是做出1微米至几百微米厚膜图形，然后通过电镀，去胶，刻蚀，制作RDL重布线、铜柱凸点、TSV硅通孔等物理结构，所有技术设计都围绕“厚膜成型、工艺兼容”展开，是HBM、Chiplet等先进封装技术落地的核心材料基础。

目前国产化中的难点也有所不同，晶圆制造光刻胶主要需要完成全链条原材料自主可控，包括I-line、KrF、ArF、EUV级光刻胶的功能单体、树脂、感光剂等，对金属杂质的控制要求均需达到ppb级别。先进封装光刻胶的难点主要体现于两方面，其一是要在高厚膜、高粘度体系下平衡感光度、附着力、抗电镀性、去胶特性、无气泡等多个互相矛盾的性能参数，对性能稳定性要求极高；其二是应对国内封装工艺的快速发展，正向开发出符合客户需求的产品。

公司聚焦光刻胶产品的竞争力构建。在先进封装领域的核心任务是推动产品在2.5D/3D先进封装中的规模化应用，着力提升国产光刻胶在该领域的市场份额。在晶圆制造方面，公司面向存储、逻辑、功率器件等不同应用场景的光刻胶产品，逐步进入研发或验证阶段。

此外，关于电镀铜在封装、晶圆以及IC载板领域的不同和相通之处，公司表示相通之处在于封装、晶圆以及IC载板虽属于不同的制造环节，但电镀铜的核心原理是一致的。三者均采用电化学沉积技术，以硫酸铜体系为基础电解液，配合抑制剂、加速剂、整平剂三类核心有机添加剂，通过调控界面吸附与局部沉积速率，实现铜的可控沉积；三者都追求无空洞填充、优异的镀层均匀性、低缺陷，最终实现低电阻、高可靠性的电气互连，保障半导体器件的导电与导热性能。

不同之处在于：在晶圆制造领域，晶圆制造中的电镀铜属于BEOL互连工艺的重要组成部分，是大马士革铜互连工艺的核心步骤，主要用于填充芯片内部纳米级的金属互连沟槽与通孔。特征尺寸最小（约10-100nm），适配先进制程节点，对超填充要求最高，更关注线阻、电迁移和CMP后的表面平坦度。下游客户为前道晶圆制造厂商。

先进封装领域，电镀铜是2.5D/3D堆叠封装的核心金属化工艺，用于填充TSV硅通孔、制备RDL重布线层、铜柱凸点与Hybrid Bonding铜互连等，适配1μm-10μm的微米级结构，深宽比最高可达20:1，核心要求是实现高深宽比深孔的无空洞快速填充，实现芯片与芯片之间的垂直互连，下游客户以封测厂商、晶圆厂商先进封装产线为主；IC载板领域，电镀铜主要采用SAP/mSAP工艺，用于填充有机基板的盲孔和X-Via填充、制备2μm-50μm的高密度线路，作为芯片与外部PCB板之间的电气连接桥梁，核心管控重点是保障整板镀层均匀性，要求镀层可耐受高温多次热冲击不断孔，下游客户为专业IC载板制造厂商。