备战新一代AI算力存储！HBM产能扩张提速，三星平泽落地混合键合产线

7月22日，据财闻海外资讯，三星电子正于平泽P5厂区建设可容纳50台芯片对晶圆（D2W）混合键合设备的量产产线，用于下一代HBM高带宽内存与逻辑芯片生产，设备预计今年年末启动进场安装。21日行业消息确认，三星已选定荷兰设备商BESI为首要合作方，启动采购流程。

目前，双方因三星提出结构改造需求及BESI设备单价约60亿韩元（约为竞品两倍）仍处谈判僵局，供货时点未定。BESI首席Richard Blickman曾于4月称年中将公布采购进展，当时设备尚在品质验证阶段。

为保障供应，三星同步推动旗下SEMES及韩华Semitech参与备选。SEMES已自研完成D2W设备并通过三星测试；韩华Semitech于2月研发第二代「SHB2 Nano」一体化集群系统，4月已向SK海力士交付样机。

该产线采用混合铜键合（HCB）技术，替代传统热压键合，可提升性能、降低功耗，支撑cHBM与3D SiP架构，配套三星最新「3D Cube-H」方案，面向AI与HPC领域。业内预计，混合键合大规模商用将延至2029–2030年，与英伟达下一代AI加速器落地节奏相关。