涨到熔断！三大存储巨头角逐HBM4量产良率，日韩股市同步走高

7月22日，韩国KOSPI指数一度大涨超6%，韩国交易所启动Sidecar机制，暂停KOSPI程序化买盘。SK海力士（SKHY.US）一度大涨超9%，三星电子一度大涨超6%。日经225指数涨超2%，铠侠涨超12%，软银集团、东京电子均涨近5%。

截至发稿，韩国KOSPI指数涨逾4%，日经225指数涨近2%。

消息面上，三星电子、SK海力士（SKHY.US）与美光科技（MU.US）（MU.US）三大存储芯片厂商全面展开HBM4良率竞争。作为第六代高带宽内存，HBM4将应用于英伟达（NVDA.US）（NVDA.US）下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成为下半年企业业绩关键支撑。

三星已率先实现HBM4规模化量产，业内预估其良率接近70%，得益于1C工艺DRAM（年初良率稳定超80%）的持续带动，良率管控能力显著提升。

SK海力士虽未公布精确良率，但行业判断其已进入稳定区间。为巩固超半HBM市场份额，其正洽谈引进新生产设备，以优化工艺并扩大产能。

美光因产能基础相对薄弱，正加速推进良率爬坡与大规模设备投资，同步提升产出能力。

良率（合格芯片占比）直接决定交付量与盈利空间，是厂商攻坚核心。尽管此前通用DRAM短期利润反超，但其涨价空间已趋缓（一季度近翻倍、二季度30%–50%、三季度0%–20%），而HBM需求持续扩张、高毛利优势将重归主导。

业内人士表示：“三星抢先落地 HBM4 量产，良率提升带来的供货增量、利润增长已经在二季度财报中充分体现；下半年该趋势将延续，三大存储企业的良率竞争会进一步白热化。”

摩根士丹利的最新研报认为，AI数据中心存储芯片供应短缺的情况仍在加剧，预计该行业的“超级周期”将延续到2028年，而存储芯片价格在未来一个季度可能继续上涨25%。

摩根大通（JPM.US）在7月21日的研报中表示，以韩国资产为基础的杠杆ETF净资产规模在6月底增长至500亿美元（约合73.755万亿韩元）。在此过程中，每次市场下跌都触发强制性的去杠杆化，导致韩国波动率指数（VKOSPI）扩张至美国波动率指数（VIX）的约5倍水平。不过，报告继续维持对韩国股票的“增持（Overweight）”评级，同时维持未来12个月韩国综合指数（KOSPI）12500点的目标位。