机构：2027年存储器市场走势分化，DRAM供给持续紧缺、NAND Flash转趋宽松

7月30日，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。

DRAM供给成长增速不及需求提升速度

TrendForce集邦咨询表示，为应对AI基础建设扩张带来的中长期需求，各大DRAM原厂已提早启动产能扩充计划。短期内，供应商积极提高既有厂区产能，同时加速制程升级、降低产品转换频率，以支撑2026年整体位元供给扩张。

2027年尽管有数家供应商规划新产能陆续投产，但受限于建厂工期、设备移机、原物料等前置作业约束，预计多数新厂投片放量落于2027年下半年，考量生产周期，显著的产出贡献则于2028年发酵。此外，由于HBM制造流程所需的晶圆投入远高于一般型DRAM（conventional DRAM），导致新增投片量无法等比例转换为有效位元产出。上述因素将限制2027年整体DRAM位元供给成长幅度，市场供应能力持续紧缩。

从需求面观察，得益于北美云端服务供应商（CSP）持续提高资本支出，Intel（英特尔）、AMD（超威）新世代CPU平台加速出货，以及Agentic AI逐步商业化，2027年全球Server出货量年增幅度将较2026年的17%扩大。加上单机HBM搭载容量成长，以及SOCAMM等新规格导入，显著拉动单机存储器容量，将有助于2027年DRAM需求位元成长维持在高位。反观智能手机、笔记本电脑等消费型终端，因品牌厂转嫁零部件成本的效应加深，导致整机售价上调、影响消费者换机意愿，预期2027年出货表现将维持下滑态势。

TrendForce集邦咨询指出，2026年DRAM供应与需求位元的差距（sufficiency ratio）落在-1%至-2%间，2027年由于需求增速超越供给成长，供需缺口将进一步扩大。不过，2026年主要CSP资本支出维持在历史高点。2027年存储器价格若仍处于高位，在整体CSP资本支出的占比将会上升。上述情况是否会影响2027年CSP资本支出的规划、乃至于存储器的购入，仍有待观察。

NAND Flash产能提高促供需结构转变

2026年NAND Flash原厂主要通过制程升级增加位元供给，由于AI Server、高容量Enterprise SSD需求旺盛，供应商持续提高Enterprise SSD的供给比重，以避免消费端需求平淡可能造成的获利风险。2027年随着各大厂加速升级至高层数产品，以及新厂产能逐步释放，预计位元供给的成长幅度将超越2026年，市场产出规模迎来显著扩张。

在需求面，由于Server部署需求稳健，CSP与企业客户对高速、大容量Enterprise SSD的采购力度强劲，其中以QLC SSD最为突出，将成为支撑2027年NAND Flash位元需求增长的主力。消费电子方面，则因终端售价陆续上调，预估购买意愿仍将受到抑制。

2027年在产能陆续释放、消费电子需求仍偏弱的情况下，市场供需将迎来结构性转变，TrendForce集邦咨询日前已率先提出2027年sufficiency ratio将转为正值的看法，供需格局将转为宽松。然而，若Agentic AI的普及取得突破性进展，将能再度拉动高速SSD的需求，促使整体供需趋近平衡。