全行业免费开放！SK海力士、闪迪推出HBF规范，谷歌等企业加入标准化联盟

8月4日，据财闻海外资讯，SK海力士（SKHY.US）联合闪迪（SNDK.US）发布高带宽闪存（HBF）首套标准规范，产品最高支持16层堆叠，单颗容量可达512GB。

今年2月双方牵头成立HBF规格标准化联盟，历经6个月完成本次标准制定，整套规范依托全球最大开放数据中心技术合作组织OCP（开放计算项目）对外公开，可供全行业免费使用这套开放标准技术。

HBF是类似HBM（高带宽内存）、垂直堆叠NAND裸片以提升数据传输速度的新一代存储方案。它既拥有HBM级高速传输能力，依托NAND架构又比DRAM更容易做大容量，是AI推理场景的核心适配技术，受到行业高度关注。

本次发布的标准定义两种堆叠方案：8层、16层NAND裸片堆叠，最高容量512GB；带宽分为三档，覆盖0.4TB/s~3TB/s。芯片互联采用行业通用开放标准UCIe（通用芯粒互联高速接口），可灵活适配CPU、GPU等各类处理器，实现HBF跨芯片自由连接。

整套标准完整涵盖互联接口、电气性能、HBF裸片堆叠工艺可靠性、封装规范、数据读写软件使用指南等全部细则。

SK海力士后续将加速HBF在AI存储市场落地，完善产业生态。目前谷歌、Tenstorrent均已加入HBF标准化联盟，公司计划通过开放合作扩大技术普及度，同步优化产品性能与行业适配性。

当地时间8月4日至6日，美国加州举办闪存峰会FMS2026，SK海力士参展并展出HBF、第十代（V10）375层4DNAND闪存新品。

峰会首日，SK海力士解决方案开发负责人金千成、下一代产品企划负责人姜郁成联合发表主旨演讲，主题为《AI智能体时代，基于分层内存高效搭建AI基础设施的方案》。二人阐述分层内存（TieredMemory）架构成为行业刚需的底层逻辑与落地路径：随着AI智能体商用提速，系统待处理数据规模、传输速度要求大幅提升，传统单一内存架构已无法适配需求。

现场搭建专属展台，分为合作专区、下一代存储技术展区、技术分享会场三大板块，全球首次公开第十代V10375层4DNAND晶圆与成品。4DNAND采用PUC结构（周边电路置于存储单元下方）+CTF电荷俘获闪存架构，相比上一代产品能效提升2.5倍，完美适配对功耗、性能要求严苛的AI数据中心场景。SK海力士计划明年初基于该款4DNAND量产高性能大容量企业级SSD。

展台同时展出面向移动端、PC、车载、机器人等多赛道存储产品，集中展示AI存储技术竞争力与产业链合作成果。

金千成负责人表示：“AI应用全面普及，倒逼全链路数据处理架构重构。我们将依托HBF打通内存与存储的技术边界，打造全新硬件架构，全面提升AI系统整体运行效率。”