EMIB-T封装良率逼近90% 英特尔盘前涨3.5%

8月4日，英特尔（INTC.US）盘前涨3.5%，报94.19美元。最新披露信息显示，英特尔正全力推进俄亥俄州大型晶圆厂园区建设，目标在2031年实现全面运营，为加速工程落地，公司向员工提供高额加班奖金以推进建设进度。该园区占地约1000英亩，将生产英特尔“埃米时代”的18A和14A制程节点，计划2031年实现14A工艺的大规模量产。

同时英特尔EMIB-T先进封装技术取得重要进展，其成本较台积电（TSM.US）CoWoS方案低约50%，英特尔预计2027年大规模提供该封装服务，目前该技术封装良率已接近90%，但基板良率仅约50%，成为产能扩展的主要障碍，相关供应商正着力提升对应产能与良率。