三星公布全新3D内存路线图，科创芯片ETF易方达涨2.30%

截至8月5日10点11分，上证指数涨0.54%，深证成指涨0.08%，创业板指跌1.04%。小金属、电子化学品、贵金属等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片ETF易方达（589130）涨2.30%，成分股普冉股份（688766.SH）、中船特气（688146.SH）、中微公司（688012.SH）、华峰测控（688200.SH）涨超5%，晶合集成（688249.SH）、杰华特（688141.SH）、西安奕材-U（688783.SH）、东芯股份（688110.SH）、睿创微纳（688002.SH）、屹唐股份（688729.SH）等上涨。

消息面上，三星电子在美国加州“未来内存与存储”大会上集中展示面向AI时代的下一代内存技术，包括超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构。其中V10B V-NAND采用晶圆键合架构，存储密度较前代提升约58%，读写速度与输入输出性能均得到改善，力图在近万亿美元存储芯片市场中巩固领先地位。

爱建证券表示，AI资本开支正沿“数据中心—芯片—晶圆厂—设备”路径持续传导。Lam测算，每1000亿美元数据中心资本开支对应约90–100亿美元WFE需求，上调此前约80亿美元的估计。AI需求已由先进逻辑进一步扩展至HBM/DRAM、企业级SSD、高层数NAND及先进封装等多个环节，叠加新增产能建设与先进节点升级同步推进，使单位数据中心资本开支对应的半导体制造设备需求持续提升，设备投资强度较此前进一步增强。2027年设备需求有望由新增产能建设与制程升级共同驱动，行业订单可见性持续提升。根据Lam管理层披露，头部客户已围绕新增晶圆厂及洁净室投产节奏，与设备厂商提前规划2027年及以后设备采购，相关订单已按照正常甚至更长交付周期推进。预计至2027年底，全球逻辑及存储领域仍将有8–10座新晶圆厂陆续投产，新增洁净室将持续释放设备安装需求；同时，三星、SK海力士、美光及台积电等主要晶圆厂均维持中长期扩产规划，支撑全球设备需求延续高景气。在设备厂提前锁定订单、扩大备货并保障交付能力背景下，核心零部件采购通常先于整机交付释放，零部件供应商有望率先受益于本轮全球半导体设备景气上行。

华鑫证券表示，根据TrendForce，2026年全球九大云端服务供应商（CSP）总资本支出将同比大涨约90%至8867亿美元，2027年将进一步扩大至约1.3万亿美元（同比+49%），高基期下增速收敛并非投资趋缓。2026年AI服务器出货年增幅度从28%上调至近31%。北美五大CSP（谷歌、亚马逊、Meta、微软、甲骨文）合计占比近90%，各自资本支出大多翻倍；中国大陆CSP（字节跳动、腾讯、阿里、百度）合计同比大涨超80%，字节跳动投入力度最高。展望2027年，产业增长有望从以GPU扩张为主，转向AI服务器、液冷散热、先进封装、高速互联、电源和内存等基础设施全面升级，AI推理、AgenticAI、自研ASIC和新一代模型持续推升算力需求。

科创芯片ETF易方达（589130.SH）跟踪上证科创板芯片指数，一键布局科创板芯片产业龙头，成长性优势凸显，前五大权重股包括中芯国际、海光信息、寒武纪、澜起科技、中微公司。