韩股反弹涨到熔断!高盛重申三星、海力士买入评级,明年HBM定价或翻倍
高盛指出,这一估值水平隐含着市场对两家公司盈利可持续性的极度不信任,而这与其实际的基本面状况明显背离。
8月5日,韩国股市持续反弹,一度涨到熔断。当天上午,韩国交易所启动SIDECAR机制,暂停KOSPI程序化买盘。两大存储芯片巨头强势上涨,SK海力士盘中涨超7%,三星电子一度涨超6%。
值得注意的是,三星电子和SK海力士股价近月大幅回调,估值已跌至极度悲观水平。根据摩根大通的研究,以韩国股票为标的的杠杆ETF资产从6月底的500亿美元缩水至上周的170亿美元。三星、SK海力士股价几近腰斩,韩国散户自6月峰值遭遇了约40%的损失。
不过,据追风交易台消息,8月4日,高盛Giuni Lee团队发表研报,高盛认为基本面并不支持如此低廉的定价,并重申对两家公司的买入评级。
研报系统梳理了市场当前对韩国存储行业的八大核心疑虑,涵盖HBM定价前景、长期协议结构、库存状况、股东回报及SK海力士美股ADR的影响等议题。分析师认为,上述担忧大多被市场过度解读,真实的供需格局依然支撑存储价格处于高位。
在此背景下,三星电子和SK海力士股价在过去一个月内分别下跌23%和35%,使两家公司的2027年预期市盈率均跌至约3.5至3.6倍、市净率仅为1.4至1.6倍。高盛指出,这一估值水平隐含着市场对两家公司盈利可持续性的极度不信任,而这与其实际的基本面状况明显背离。
高盛预计,三星电子和SK海力士的HBM综合均价将在2027年分别同比上涨约87%和100%,双双接近每Gb 2.9美元。其中,同类产品价格涨幅约为60%,其余增量来自产品组合改善。展望SK海力士三季度业绩,高盛预计DRAM出货量将环比增长约10%,均价将环比增长约19%,主要受益于HBM4量产爬坡及1c nm DRAM扩产带来的组合改善,对应营业利润预测约为77万亿韩元,与市场一致预期大体吻合。
高盛还指出,相较于部分已锁定含价格上限合约的同行,海力士在普通DRAM价格弹性方面的暴露更大,若价格表现超预期,公司的上行空间或更为显著。
此外,高盛认为,从已披露内容和渠道调研来看,长期协议LTA条款正沿四个维度向供应商倾斜:期限更长、覆盖更广、定价结构更有利、约束力更强。期限方面,多数供应商表示合同以5年期为主,部分客户为3年期。三星在财报电话会上透露,其LTA通常基于5年期,并通过滚动续约机制每年延续一年,理论上合同期限可超过5年。覆盖率方面,目标正在从50%向60%至70%跃升。具体来看:闪迪已与5个客户签署合约,覆盖2027年约1/3的出货量,并以50%为长期目标;美光科技已签署16份战略客户协议,覆盖约20%的DRAM出货量和1/3的NAND出货量,最终目标是LTA收入占比超50%;SK海力士表示已完成约10份长期协议条款谈判;三星电子则披露已与全球前五大数据中心客户签约,并正与另外5家大客户进行最终谈判,预计合同签署后多年期合同量将达到计划产能的约60%至70%。
从供需格局来看,高盛预计NAND在2027年的供需缺口将比今年进一步扩大。主要原因在于,大型供应商资本开支重心集中于DRAM,NAND端的扩产以制程升级为主而非晶圆产能扩张,供给增速预计中期内将持续低于需求。

