HBM、HBF双存储架构并行，AI推理需求引爆先进封装行情，长电科技涨停

8月6日，近期先进封装概念持续反弹，长电科技（600584.SH）封涨停，甬矽电子（688362.SH）、劲拓股份（300400.SZ）涨超10%，通富微电（002156.SZ）、盛合晶微（688820.SH）、华天科技（002185.SZ）、太极实业涨超5%。

消息面上，SK海力士与闪迪近日宣布，推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范。近年来，AI行业正从“训练”阶段转向为用户提供实际服务的“推理”阶段，这大幅提高了对内存带宽和容量要求，HBF应运而生。

被称为“HBM之父”的韩国科学技术院金正浩认为，未来HBM和HBF将形成共存格局，类似于城市规划：“就像有百货商场，周围有复式公寓、普通住宅，各种形态的HBM、HBF组合在一起，形成复合体，向GPU供给数据。”