马斯克超级芯片工厂直指EUV光源

在上周公布超级芯片厂Terafab的168亿美元初期投资时，特斯拉（TSLA.US）创始人兼首席执行官，SpaceX（SPCX.US）首席执行官兼首席技术官马斯克展示了一段巨型芯片厂建成后的假想视频。随后，硅谷“有效加速主义”代表、AI硬件初创公司Extropic创始人纪尧姆·韦尔东（化名Beff Jezos）提出了一个问题：Terafab中间似乎有一个巨大的圆圈，那是环形粒子加速器么？

对此，马斯克回应称：FEL FTW。

同日，Gork官方跟帖称：“全新开始——来自官方渲染图的精确Terafab形状，中央环形回旋加速器/同步辐射环为光刻车间提供FEL EUV束流。”

在光刻机领域，阿斯麦（ASML.US）等厂家采用的是激光产生等离子体（LPP）光源技术。其原理是利用高功率激光连续轰击高速飞行的锡滴，使锡原子形成高温等离子体，并释放出波长为13.5纳米的极紫外光。这种方案有两个主要缺点：一是能量转换效率极低，LPP的输入电能到EUV输出能量比例，量级仅为0.1%左右。二是锡滴在被激光轰击后会产生碎片和污染物，会增加EUV的维护负担。尽管如此，LPP光源尺寸仅有数个立方米的占地空间，使其在商业化量产占据关键优势，这也是目前唯一可大规模量产的EUV光源技术。

相比之下，FEL（自由电子激光）利用高速电子束直接产生高能光束，能够为数量不等的光刻机同时提供可精确调整波长的光源，而代价就是这类设备的尺寸过于庞大。