SK海力士美国工厂启动建设，2028年量产高带宽内存，有望加码美国晶圆产线投资

8月13日，据财闻海外资讯，SK海力士（SKHY.US）将于本月在美国印第安纳州举办先进封装工厂动工仪式，SK集团会长崔泰源、英伟达（NVDA.US）CEO黄仁勋大概率将同台出席。

市场高度关注二人是否会释放未来加码美国投资、海外生产基地布局的相关信号。据业内消息，SK海力士确定于当地时间27日，在印第安纳州西拉斐特举办先进半导体封装工厂动工仪式，并已向核心客户、合作企业发送邀请函。本次活动将有SK海力士社长郭鲁正等高层管理团队、全球科技巨头CEO级人物到场参会，业界普遍预测崔泰源会长与黄仁勋CEO也将出席。

若崔泰源会长到场，市场重点关注其是否会公布扩大美国投资、海外产能布局战略。上月SK海力士美国存托凭证（ADR）上市活动后，崔泰源在当地采访中表态：只要电力、水源、人力、供应链配套条件成熟，SK海力士可在美国建设存储芯片前道晶圆工厂。此番发言释放出企业或不止布局封装厂、还可能落地完整存储产线的信号。

此前美国媒体报道称，英特尔（INTC.US）正在为俄亥俄州半导体项目寻找运营合作方，SK海力士是核心候选企业之一。SK海力士官方回应，公司持续评估各类海外投资、并购机会。

与此同时，美国政府持续施压海外芯片企业赴美建厂。美国商务部长霍华德・卢特尼克上月出席美光纽约新工厂竣工活动时，公开点名三星电子、SK海力士，敦促两家企业在美国本土建设存储芯片生产线。

SK海力士计划斥资38.7亿美元（约5.5万亿韩元），在印第安纳州西拉斐特打造先进封装生产基地与研发中心，项目今年上半年已启动现场浇筑施工；27日动工仪式后将全面开展主体结构建设，目标2028年下半年量产HBM高带宽内存等先进封装半导体产品。

依据美国《芯片与科学法案》，美国政府将为该项目提供最高4.5亿美元直接补贴，以及5亿美元配套贷款支持（补贴+贷款合计约1.35万亿韩元）。