美股存储板块盘前走弱，韩美存储投资谈判再起波澜，存储板块长期逻辑未改

8月18日，美股盘前，存储板块普遍走弱，此前该板块连续多日大涨。美光科技（MU.US）下跌3%，SK海力士（SKHY.US）下跌3.16%，闪迪（SNDK.US）下跌4.03%，西部数据（WDC.US）下跌3.71%，希捷科技（STX.US）下跌3.22%。

消息面上，韩国原本计划将能源项目作为首个对美重大投资，计划本月末对外公布。但在8月13日总统府闭门贸易会议上，美方强烈要求韩国把存储芯片工厂投资列为对美头号项目。

消息人士称，三星电子、SK 海力士刚刚敲定超800万亿韩元本土扩产，短期内再赴美新建存储产线现实阻力较大，韩国国内也担忧会造成资本外流，挤压本土产业资源。

韩国政府此前优先将能源项目作为首个对美投资候选项目。但美方强硬要求韩国在美国本土建设存储芯片生产工厂，谈判格局由此发生改变。执政党相关人士表示：“美方更改优先顺序，不断抛出新要求，相当于改写了对美投资谈判的基本框架。”

随后，韩国总统府、产业部发布说明，称“并未讨论把存储芯片作为首个对美战略投资候选项目，该说法与事实不符”；同时承认韩美确实在开展战略投资磋商，但拒绝披露谈判具体细节

展望后市，埃隆·马斯克近期在X平台直接点名存储将成为自主AI时代的核心制约，明确看好美光科技（MU.US）、闪迪（SNDK.US）、SK海力士（SKHY.US）三家存储巨头的长期成长空间。

此前第一波生成式AI浪潮的核心需求集中在GPU算力上，但随着能独立规划、执行任务的自主AI时代到来，游戏规则彻底改变：AI智能体的长上下文KV缓存、沙箱运行环境、海量向量数据检索等环节，都需要持续读写大量高带宽内存与高速NAND闪存。美光公开数据显示，单个自主AI智能体实例的运行，就需要覆盖状态暂存、工具输出缓冲、隔离环境内存等多维度的内存支撑，且这类需求大多指向高附加值的专用HBM，而非传统大宗商品级DRAM，产能扩张门槛是普通DRAM的三倍。

高盛预测，到2030年全球自主AI的月token消耗量将达到120千万亿，是2026年初的24倍，存储需求几乎呈无限增长态势。