闪存制造“由钨转钼”！金钼股份涨停

8月24日，小金属板块盘初走强，金钼股份（601958.SH）涨停，盛龙股份（001257.SZ）、永杉锂业（603399.SH）、中矿资源（002738.SZ）、洛阳钼业（603993.SH）、华阳新材（600281.SH）、天工股份（920068.BJ）等跟涨。

消息面上，8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文，阐述3D NAND闪存制造从钨（Tungsten，W）向钼（Molybdenum，Mo）转型的技术逻辑。

3D NAND大约十年前就停止了横向缩小，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线（word lines）遭遇了物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法完成有效填充。

SemiAnalysis在推文表示：“钼不是一种优化，是300层以上NAND的必选项。”

与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻（带来更快的读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的三个核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的工程改进。

SemiAnalysis梳理了当前各大厂商的层数位置：铠侠/闪迪（SNDK.US）（Kioxia/SanDisk）处于218层，美光科技（MU.US）（Micron）276层，三星（Samsung）286层，SK海力士（SKHY.US）以321层处于行业前沿。

向3xx至4xx层的跃迁正在启动。SemiAnalysis估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。