晶盛机电：12英寸原子层沉积设备进入国内头部逻辑产线验证

8月24日，晶盛机电（300316.SZ）发布投资者关系活动记录表。

关于半导体装备业务进展，公司表示依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇，积极推进半导体装备的市场推广。在集成电路装备领域，公司积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证；成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白，实现国产替代；应用于半导体大硅片的新一代双抛机市占率迅速提升；发布方形硅片全流程解决方案；公司自主研发的12英寸常压硅外延设备实现小批量销售，其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平；12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货并取得重要客户复购，在芯片制造、特色硅光工艺上均取得突破；12英寸原子层沉积设备进入国内头部逻辑产线验证。在化合物半导体装备领域，公司紧抓碳化硅产业链向8英寸切换的行业发展趋势，加强8-12英寸碳化硅外延设备、减薄设备及激活炉的市场推广并顺利取得客户订单；积极推进碳化硅氧化炉以及离子注入等设备的客户验证，相关设备的验证进展顺利，为规模化量产奠定坚实基础。在新能源光伏装备领域，公司持续加强研发技术创新，聚焦TOPCon提效与BC技术创新，持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系，积极推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD以及ALD等设备的市场推广和客户验证，EPD设备持续强化行业领先的技术和规模优势，助力公司高质量发展。

公司还介绍了碳化硅衬底材料的进展，表示报告期内以碳化硅衬底为核心，实现从技术突破到规模化供应的关键跨越；基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，并基于下游应用向产业链客户进行送样验证；同时持续推进8英寸和12英寸碳化硅衬底在全球功率、光学等市场客户的验证，已向全球及国内功率芯片领域过半数头部厂商实现批量供货，产品验证和量产推进顺利，8英寸已实现大规模供应，12英寸已实现小批量供应。

关于碳化硅衬底材料的产能进展，公司表示基于全球碳化硅产业的良好发展前景及广阔市场空间，积极推进全球化产能布局，在马来西亚槟城投资建设8英寸碳化硅衬底产业化项目，在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，形成“国内+海外”双基地布局；目前公司产能处于快速爬坡阶段，正加速推进6英寸及8英寸碳化硅衬底年产90万片项目投产，全球供应能力有望得到显著提升。

在金刚石材料方面，公司完成大尺寸金刚石晶圆材料关键技术攻关，成功研制出8英寸多晶金刚石晶圆，全面掌握1-8英寸全规格晶圆生长工艺，并建成大尺寸金刚石量产线，为国内高端热沉材料自主供应奠定了坚实的技术基础。

公司介绍了主要客户覆盖情况，表示其主要客户包括TCL中环（002129.SZ）、沪硅集团、长电科技（600584.SH）、士兰微（600460.SH）、芯联集成、华虹集团、有研硅（688432.SH）、奕斯伟、合晶科技、金瑞泓、晶科能源（688223.SH）、通威股份（600438.SH）、晶澳科技（002459.SZ）、天合光能（688599.SH）、双良节能（600481.SH）等业内知名的上市公司或大型企业，公司与行业客户持续保持长期的战略合作关系，通过深入合作与协同创新共同促进行业快速发展。