机构：长江存储科创板IPO获受理，AI算力与内存增速差或将扩大

8月25日，华鑫证券发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，长江存储科创板IPO获受理，AI算力与内存增速差或将扩大。

美光Hot Chips 2026剖析AI"内存墙"瓶颈，算力两年增长3倍而内存能力增长不足2倍。近日，在美国斯坦福大学举行的Hot Chips 2026半导体大会上，美光（Micron）HBM设计架构研究员Raghu Sreeramaneni深入剖析了AI系统面临的"内存墙"问题。他指出，计算能力大约每两年增长3倍，而内存能力每两年仅增长不到2倍，两者增速差距意味着内存墙不仅持续存在，而且可能进一步加剧。

在典型的AI加速器中，大量计算工作受限于内存传输速度，处理器不得不频繁等待数据送达。美光透露，在一个典型的GPU系统单晶片封装（SiP）中，若采用4个12层的HBM堆叠，其内存硅芯片面积占整个封装总硅芯片面积的90%左右，相当于GPU硅芯片面积的8倍。相较传统DDR5内存，HBM系统可提供高达5.3 TB/s的系统级带宽，性能高出15至17倍；HBM3E单颗晶圆带宽高达256 GB/s，高出DDR5的32倍。为解决带宽不足，现行芯片封装被迫堆叠更多HBM，但这也带来严峻的散热与机械结构挑战。美光已推出HBM4，信道数翻倍、I/O速度提升两倍，系统带宽最高可达2,800 GB/s。在散热与封装方面，美光强调业界必须转向液冷与混合键合，并正研发融合键合等下一代先进封装技术，以支持更精密的间距并显著降低热阻。

8月21日晚间，国产NAND Flash龙头长江存储控股股份有限公司的科创板IPO申请获上交所受理。招股书显示，长江存储2025年营收631.85亿元，归母净利润142.11亿元；2026年一季度营收470.42亿元，归母净利润333.79亿元，净利润率约71%。

本次拟公开发行A股股票不低于19.8亿股且不超过24.3亿股，募集资金的总投资额高达330亿元，其中208亿元投向量产线技术升级项目，122亿元投向研发相关募投项目。2026年1-3月，公司在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一，2026年一季度主营业务毛利率高达76.79%，NAND Flash产能利用率升至98.02%。公司自主研发的晶栈Xtacking架构已迭代至第四代，成为全球首批突破200层NAND技术的企业之一，并已与三星电子签署混合键合技术专利许可协议。

从股权结构看，长江存储无实际控制人，湖北长晟（26.54%）、芯飞科技（25.35%）、国家大基金一期（11.97%）、国家大基金二期（11.38%）等为前五大股东。公司警示称，若未来市场需求增速放缓或主要存储厂商快速扩产导致供给大幅增加，产品价格可能回落，且技术路线误判或产品迭代不及预期将严重影响业绩。建议关注：优迅股份、华虹宏力、长鑫科技。