通富微电：具备LPDDR 12DP工程能力开发基础，已掌握3D NAND多芯片堆叠等技术

有投资者向通富微电（002156.SZ）提问，公司半年报披露完成LPDDR 16DP产品技术方案开发。请问16DP是否是在已有成熟LPDDR量产平台上的进一步升级？公司此前8DP、12DP等较低堆叠产品是否已实现规模量产？

9月11日，公司在互动平台回答表示，尊敬的投资者，您好！公司持续围绕存储封装在高堆叠、高密度、高良率等方向开展技术储备和工艺优化，持续提升存储封测产品的性能与可靠性。例如，公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术，具备LPDDR 12DP工程能力开发基础，在高层数存储堆叠封装领域形成了较为扎实的技术积累。