从HBM到全品类存储，三星联合AMD发力下一代AI内存与计算技术

10月13日，三星电子在2026年OCP全球峰会上展示了下一代内存与存储技术，新战略覆盖内存扩展、计算速度和数据存储三大领域。

内存扩展方面，三星与AMD联合展示了基于CXL的解决方案，采用三星基于CMM-D的内存池化技术，使多系统灵活共享内存，应对AI推理中不断增长的工作负载。

计算速度方面，三星展示了定制化高带宽内存（HBM）和HBM5，以及减少数据传输提升能效的存算一体技术；并展出2纳米环绕栅极晶圆、Groq语言处理单元晶圆及Groq 3 LPX系统。

数据存储方面，推出企业级固态硬盘及键值缓存优化技术，帮助AI模型复用先前处理的信息以高效生成响应。三星强调对整个AI系统优化，其MAX实验室可供客户在商业化前针对真实世界AI工作负载测试技术。

此外，三星正将产品组合从HBM拓展至系统内存、SSD和NAND闪存，并深化与AMD合作，双方已签署谅解备忘录，加强下一代AI内存与计算技术协作。