三星公布下一代内存与存储技术，韩国存储双雄集体反弹

10月14日，韩国综合股价指数（KOSPI）涨幅扩大至2%。SK海力士（SKHY.US）上涨近3%，三星电子上涨近4%。

消息面上，三星电子于当地时间周一（10月12日）在2026年OCP全球峰会上展示了下一代内存与存储技术。会上，这家韩国科技巨头与AMD共同演示了内存扩展解决方案，并展出了与AI芯片厂商Groq和英伟达（NVDA.US）相关的产品。

高盛（GS.US）发布最新研报指出，高带宽闪存（HBF）等新型NAND技术有望缓解“内存墙”问题，并显著降低AI基础设施成本。该行预计，在GPU采用率达到15%至50%的情况下，HBF潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。 

值得注意的是，当地时间10月13日，美股三大指数高开低走、集体收跌。隔夜韩国股市下跌，三星电子跌超7%，SK海力士跌超10%，存储芯片板块下跌势头传导至美股，美股半导体设备与存储板块承压，应用材料跌超6％，美光科技、SK海力士、格芯、科天半导体跌超3％。