韩媒：长鑫科技推进服务器DRAM新方案，韩国半导体行业直面国产追赶挑战

10月14日，据财闻海外资讯，长鑫科技（688825.SH）预告将在服务器DRAM上应用4F²技术。该技术属3D架构，通过垂直堆叠晶体管，将存储单元面积较6F²缩减33%。业界视其为DRAM转向3D架构的重要跳板，担忧中韩技术差距缩小，受此影响，三星电子、SK海力士股价大跌。

三星与SK海力士早研4F²，但因良率提升风险高、生产成本偏高未量产。CXMT虽未公开产品规格及上市时间，但受益于AI需求扩张带来的存储芯片涨价，已形成保障盈利环境顺势追赶。

但韩国半导体产业协会常务安基铉强调，中国已追至肉眼可见位置，韩国须正视第二名追赶并加快研发，建议对研发人才豁免每周52小时工时限制。