存储芯片巨头财报周来袭！大摩、花旗、野村密集看多：“存储荒”持续，HBM价格或翻倍

10月27日报道，本周，随着芯片巨头密集迎来财报披露期，存储芯片行业迎密集看多。

韩国两大芯片巨头SK海力士、三星电子将分别于本周三、周四公布财报，英特尔（INTC.US）、闪迪（SNDK.US）也将于当地时间10月29日美股盘后披露业绩。

加拿大皇家银行资本市场（RBC Capital）日前发布研报称，随着人工智能（AI）需求持续超过供给，高带宽内存（HBM）价格上涨有望支撑整体DRAM平均销售价格（ASP），SK海力士将持续受益于存储芯片上行周期。

RBC预计，SK海力士第三季度业绩将略高于市场共识预期，营收料将达到101.2万亿韩元，调整后每份美国存托凭证（ADR）收益为8917韩元（约合6.72美元）。强大的定价能力有望对冲汇率带来的不利因素：三季度DRAM合约价环比上涨20%，四季度可能还会再涨15%。

RBC认为，DRAM上行周期在已持续14个季度的基础上，还将再持续五个季度，供应紧张局面预计将持续到2027年。报告还指出，2027年HBM价格可能上涨80%到100%，这将支撑整体DRAM平均售价。RBC重申了对SK海力士“跑赢大盘”的评级，目标价为200美元，较该股最新收盘价高出约40%。

除RBC外，10月27日，韩国央行官员表示，受高带宽内存（HBM）生产效应影响，预计明年芯片产量将上升，价格将继续上涨，但涨幅将放缓。

摩根士丹利（MS.US）首席股市策略师迈克·威尔逊（Mike Wilson）日前也表示，该板块的支撑位可能远低于当前水平，但同时指出半导体股票面临的抛压可能会在下个月有所缓解。

野村全球存储器研究团队在最新报告中也指出，2027年存储器供应量和价格已于2026年10月通过长期协议完成锁定，且价格出现反弹。更关键的是合同中的违约条款：取消订单或压价的罚金可达年度需求价值的50%—100%。这意味着，即便某家巨头事后判断投资回报不划算，退出的即时代价也极高——违约成本本身构成了需求的“粘性”。

随着机构密集看好，全球芯片巨头大幅反弹。

日韩芯片巨头集体暴涨。SK海力士（SKHY.US）涨逾7%，三星电子涨近5%。铠侠股价上涨6.8%，软银集团上涨6.0%，爱德万测试上涨7.3%。

A股方面，10月27日，长鑫科技（688825.SH）持续拉升，盘中一度涨超4%，市值重返3万亿元。当日早盘，芯片产业链震荡反弹，天德钰（688252.SH）、中晶科技（003026.SZ）涨停，达瑞电子（300976.SZ）、晶合集成（688249.SH）、芯动联科（688582.SH）、波长光电（301421.SZ）等跟涨。

隔夜美股，费城半导体指数收涨2.82%。Tower半导体（TSEM.US）涨6.68%，Arm Holdings（ARM.US）涨6.19%，德州仪器（TXN.US）涨4.72%，英特尔（INTC.US）涨4.04%。存储板块整体上涨。Rambus（RMBS.US）涨5.45%，SK海力士涨4.09%，西部数据（WDC.US）涨3.63%，美光科技（MU.US）涨2.98%，希捷科技（STX.US）涨2.18%。