大反弹！英伟达、台积电盘前大涨，得州数据中心利空缓和，机构看多存储至2028年

11月6日，美股AI硬件产业链盘前强劲反弹，英伟达（NVDA.US）涨超4%，闪迪（SNDK.US）涨超10%，阿斯麦（ASML.US）、台积电（TSM.US）涨超6%。

消息面上，知名科技投资人、Atreides Management创始人加文·贝克周四在社交平台上发帖称，得州州长当选人吉娜·伊诺霍萨已经明确表示，所有目前已获许可的得州数据中心都将被允许完成建设；他认为，这基本覆盖了2027年全部、并很可能覆盖到2028年的大部分产能。此外，市场分析机构Counterpint最新报告显示，随着新一代HBM产品推出及价格持续上涨，主要存储供应商有望在第四季度创下新的营收纪录。2026年第三季度，三星以38%的市场份额位居DRAM市场首位。

英伟达提出AI内存全栈协同设计方案，Vera Rubin平台每GPU内存容量仅增约3%，推理吞吐量提升最高30倍。英伟达希望将部分老旧电信机房改成小型AI数据中心，组成一张最多可覆盖美国20个州的推理网络。

马斯克称特斯拉（TSLA.US）将于明年年中左右在得州超级工厂逐步停止Cybertruck生产，为增加Cybercab产量腾出空间。谷歌三季度13F持仓规模达883亿美元，SpaceX（SPCX.US）为第一大持仓，新增高通（QCOM.US）、Lime等仓位。苹果（AAPL.US）和三星电子计划在2028年前推出采用蚀刻超薄玻璃的可折叠显示屏。前富达投资基金经理诺布尔警告英伟达正重走互联网泡沫时期思科（CSCO.US）老路。

在预测市场Kalshi上，Anthropic在11月30日前完成IPO挂牌概率从84%骤降至60%，在12月31日前完成IPO概率从90%下滑至74%。

摩根大通研报指出，主要存储股较2026年高点平均回撤约45%，费城半导体指数较近期高点回撤约29%。该行认为，尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报，但DRAM和NAND供需仍然紧张，长期供货协议不断扩大覆盖范围，行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月，存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。