盛美上海首台PECVD SiCN设备出机，赋能55nm以下高端IC与先进封装

4月27日，盛美上海（688082.SH）宣布，其首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备已正式出机。该设备专为300毫米晶圆工艺设计，最高工艺温度可达400摄氏度。该平台配置有四个晶圆装载口及三个工艺腔体，以支持高效的晶圆传送与工艺运行。

该设备旨在支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC (SiCN)工艺，应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。随着逻辑器件的微缩及集成度要求的日益严苛，对颗粒、等离子体稳定性及界面层的更精准把控变得至关重要。这些严苛要求同样正推动着先进封装领域对SiCN薄膜的需求——其薄膜特性非常适用于下一代器件集成中的晶圆级键合等应用。在这些应用中，SiCN薄膜的高粘附性、高键合能及致密特性，有助于提升集成可靠性、抑制金属离子扩散，并支持更高密度的器件架构。