英诺赛科胜诉：ITC终裁确认未侵犯英飞凌的相关专利

5月8日，英诺赛科（02577.HK）宣布，美国国际贸易委员会（“ITC”）在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓（“GaN”）功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。

ITC 全体委员一致同意英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌美国第9,070,755号专利（涉及电极设计）和第9,899,481号专利（涉及封装设计）。

委员会仅认定481专利中的两项权利要求有效且仅被英诺赛科已停止生产和销售的历史产品侵权。因此，相关的进口和销售禁令对英诺赛科在美国的现有业务不具有实质影响。英诺赛科将继续不间断地向美国及全球客户供应其现有的 GaN 功率产品。

ITC 的最终裁定确认，英诺赛科的产品源于独立自主的技术创新，并彻底挫败了英飞凌试图通过缺乏根据的诉讼手段限制合法竞争的企图。功率半导体行业的未来应由更优异的产品所塑造，而非毫无根据的诉讼伎俩。