三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高

据朝鲜日报5月19日消息，三星电子DS部门近期实现关键突破，其应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM良率已提升至92%（基于冷态测试），同时安装于HBM4上的第六代（1c）DRAM良率亦提高至75%以上。此次良率改善有助于增强三星在高带宽内存市场的供应能力与成本竞争力，为后续AI与高性能计算芯片的量产提供有力支撑。相关进展已通过内部验证，尚未公布进一步量产时间表。