半导体设备景气上行，半导体设备ETF易方达涨3.53%

截至5月25日11点15分，上证指数涨0.72%，深证成指涨1.02%，创业板指涨1.17%。培育钻石、机场航运、国家大基金持股等板块涨幅居前。

ETF方面，半导体设备ETF易方达（159558）涨3.53%，成分股三佳科技（600520.SH）涨停，盛美上海（688082.SH）、拓荆科技（688072.SH）、艾森股份（688720.SH）涨超10%，矽电股份（301629.SZ）、联动科技（301369.SZ）、雅克科技（002409.SZ）、晶瑞电材（300655.SZ）、南大光电（300346.SZ）、中科飞测（688361.SH）涨超5%。

消息面上，半导体设备正迎来高度确定的景气上行期。根据SEMI数据，2025年全球半导体制造设备销售额已达1351亿美元，连续三年创历史新高，且2026年与2027年的预期被进一步上调。国内方面，2026年一季度半导体设备板块整体营收同比增长25.78%，归母净利润同比增长60.42%，利润增速是收入增速的两倍以上，规模效应开始显现，行业景气度得到业绩端的坚实验证。

广发证券表示，mSAP工艺对激光钻孔、电镀、曝光、检测等各环节设备精度要求大幅提升。根据深圳赛姆烯金公司公众号，设备环节的精密化水平直接决定mSAP工艺的可行性，因此各设备均需达到微米级精度标准。（1）激光钻孔设备：mSAP激光钻孔数量增加，激光钻孔设备需实现60-80μm的微孔加工和±3μm的孔位精度；（2）脉冲电镀设备：需控制铜厚均匀性在±5%以内，保证线路分布均匀、无凹陷；（3）激光直接成像LDI设备：需实现±0.5μm的成像精度和±1.5μm的对位精度，确保细线路图形的精准呈现；（4）AOI/3DAOI检测设备：需精准识别15μm线宽的缺陷，为工艺良率提供保障；（5）刻蚀设备：闪蚀工序需严格控制微蚀量在0.1-0.3μm，同时需通过实时TDR校准确保阻抗公差控制在±3%-5%，单端50Ω、差分100Ω的阻抗标准，每一步制程偏差都可能导致信号失效。

兴业证券表示，5月19日，国产存储芯片龙头长江存储控股股份有限公司（下称“长存集团”）正式启动IPO辅导。长存集团成立于2016年，总部位于湖北武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。其全资子公司长江存储在胡润研究院2025全球独角兽榜中位列中国十大独角兽第9、全球第21，估值1600亿元。

半导体设备ETF易方达（159558）根据申万三级行业分类，该ETF跟踪的中证半导体材料设备主题指数中半导体设备占比为63%，且在跟踪同指数产品中具备明显超额收益优势。