美光HBM4量产加速 HBM4E明年投产

据THE ELEC 5月25日报道，美光科技（MU.US）第6代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，速度较去年HBM3 12层产品提升两倍，良率同步改善。美光全球运营副总裁Manish Bhatia在摩根大通（JPM.US）会议上披露，该产品将应用于英伟达（NVDA.US）Rubin AI计算平台。

提速得益于HBM3/HBM3E量产经验积累，HBM4核心DRAM采用1β（10纳米5代）成熟工艺，搭配自研基底芯片，性能与稳定性显著提升。

下一代HBM4E将实现战略调整：核心DRAM升级为首次导入EUV的1γ（10纳米6代）工艺，基底芯片（Base Die）不再自研，转由台积电（TSM.US）代工。计划于2027年量产，首批为JEDEC标准品，并同步推进定制版开发。

同期，三星HBM4E预计2026年Q2送样、基底自产；SK海力士则计划2026年下半年送样、2027年量产，基底采用台积电3纳米工艺。美光规划2026年中，1γ DRAM与9代NAND出货量将占总容量半数以上，1γ将成为其最大单一DRAM工艺。