海外大厂产能向HBM倾斜 存储芯片板块走强 北京君正创历史新高

6月25日，午后存储芯片概念持续走强，北京君正（300223.SZ）20cm涨停并创历史新高，中微半导（688380.SH）、太极实业亦涨停，佰维存储（688525.SH）、华新科技（301265.SZ）涨幅超10%，恒烁股份（688416.SH）、德明利（001309.SZ）、江波龙（301308.SZ）等跟涨。

消息面上，受供给收缩及AI与车规需求爆发推动，存储现货价格持续上行：一季度DRAM合约价环比涨幅近100%，NAND闪存环比涨85%–90%，二季度涨价趋势延续，上游原厂定价权稳固。

海外大厂产能向HBM倾斜，车规存储供给满足率不足50%；新能源车单车存储需求较燃油车提升4–8倍，车规NOR、SRAM、利基DRAM涨价弹性充足。

下游模组、封测及半导体材料同步受益价格传导，太极实业（封测）、江波龙、佰维存储等全链条企业业绩预期持续上修。