美光科技投资93亿美元扩建先进存储芯片项目 预计2028下半年出货HBM

美光科技（MU.US）当地时间周六（7月4日）正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达（NVDA.US）AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。近期，美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。