仅达原计划六分之一！SK海力士扩产严重滞后，卷入DRAM价格操纵诉讼

7月14日，美国银行最新分析显示，SK海力士至2028年实际可新增的存储芯片产能，可能仅为原计划的六分之一，这一判断不仅令韩国政府的产能扩张蓝图大打折扣，更为正在进行中的DRAM价格操纵集体诉讼提供了关键佐证。

据韩国媒体援引美国银行近期报告，受旧厂关闭、技术升级及制程微缩等因素影响，韩国每年实际可增加的运营存储晶圆产能不足10%，这意味着到2030年的产能增量将远低于韩国总统李在明此前设定的"2030年产能翻倍"目标。存储芯片行业知情人士进一步指出，SK海力士至2028年新增产能或仅相当于原计划的六分之一。

据存储芯片行业知情人士，仅完成光州和全罗厂区的地基建设就需约五年时间，此后还需三至四年用于洁净室搭建及芯片制造设备安装。完整建立两处厂区的制造生态系统，预计耗时将超过十年。

今年6月25日，三星、SK海力士与美光在加利福尼亚州联邦法院遭到集体诉讼。诉讼主张代表近期DRAM价格上涨期间购买含商用DRAM产品的消费者及企业群体，指控三家公司凭借其在全球DRAM市场的主导地位，以向AI关键高带宽存储器（HBM）战略转型为由，协调削减DDR3、DDR4等传统存储格式的生产，人为推高价格。