机构发布力挺报告!美股存储芯片概念盘前集体上攻,SK海力士涨6%
这一强劲增长主要受到通用型DRAM(Commodity DRAM)定价环比飙升约60%的支撑,同时HBM(高带宽内存)价格在季度内仅有低个位数的变动(意思是相对稳定或小幅上涨)。
7月14日,美股存储芯片概念股盘前集体反弹,其中,SK海力士(SKHY.US)涨6%,Rambus(RMBS.US)涨超4%,闪迪(SNDK.US)、慧荣科技(SIMO.US)涨超3%,美光科技(MU.US)、西部数据(WDC.US)、希捷科技(STX.US)涨超2%。
专注于半导体与AI基础设施领域的研究机构SemiAnalysis发布报告《在他人恐惧时保持贪婪(Be Greedy When Others Are Fearful):SK海力士的DRAM定价与盈利依旧强劲》指出,SK海力士2026年第二季度及未来的DRAM盈利将保持强劲。报告称,尽管近期市场有一些噪声以及定价方法的修订,研究团队对SK海力士2Q26 DRAM业绩的正面乐观预期保持不变。该行预计:DRAM综合平均售价(ASP)环比将大幅增长约45%(注:KIS下调至28.9%);DRAM营业利润预计将达约55万亿韩元(注:这一数字高于许多市场共识);这一强劲增长主要受到通用型DRAM(Commodity DRAM)定价环比飙升约60%的支撑,同时HBM(高带宽内存)价格在季度内仅有低个位数的变动(意思是相对稳定或小幅上涨)。

