宏微科技:3300V SiC器件已研发下线,正在进行封装和可靠性试验
3300V SiC器件已研发下线,正在进行封装和可靠性试验,未来可应用于SST领域。
7月15日,宏微科技(688711.SH)发布投资者关系活动记录表,有投资者提问,公司在SiC相关技术上的优势是什么,为何能获得北美SST客户的认可?在大功率模组、SiC芯片技术上有哪些新的发展思路?
公司回复,技术优势主要体现在:第一,定制化服务经验丰富,自2014年起拥有十余年定制化经验,能够贴近客户联合定义产品,兼顾成本优势与服务保障;第二,SiC模块封装技术积累深厚,是国内最早开展SiC封装的企业之一,SiC产品已覆盖电源、车规、光伏等领域并具备一定出货量;第三,针对客户痛点做定制化差异化开发,迭代速度快;针对SST使用特点优化SiC芯片与封装特性,减少串扰,提升可靠性。基于长期的经验积累与敏捷的响应机制,公司能够快速为客户提供更贴合场景的解决方案。
2300V SiC产品已开展流片工作,在封装方面,公司正针对现有半桥封装方案痛点开发集成度更高的封装方案。3300V SiC器件已研发下线,正在进行封装和可靠性试验,未来可应用于SST领域。10kV SiC技术方面,公司与怀柔国家实验室合作成立宏微怀实(控股子公司),相关技术成果将在宏微怀实落地转化。上述产品从流片、试验到量产需较长的认证周期,且应用场景认证标准严苛,技术达标和产业化进度存在不确定性。

