英特尔业绩提振半导体板块，科创芯片设计ETF易方达涨1.19%

截至7月24日10点30分，上证指数跌0.89%，深证成指跌1.00%，创业板指跌0.83%。中船系、军工装备、国家大基金持股等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片设计ETF易方达（589030）涨1.19%，成分股晶晨股份（688099.SH）、翱捷科技-U（688220.SH）、炬芯科技（688049.SH）、南芯科技（688484.SH）、芯朋微（688508.SH）涨超5%，力芯微（688601.SH）、新相微（688593.SH）、澜起科技（688008.SH）、盛科通信-U（688702.SH）、英集芯（688209.SH）等上涨。

消息面上，英特尔公布2026年第二季度业绩，营收同比增长25%，创下近十五年来最优季度表现，其数据中心业务收入同比增长近60%。公司给出的第三季度营收指引保持两位数高增长，超出市场预期。英特尔美股盘后股价一度大涨超13%，其强劲的业绩表现和乐观预期提振了全球半导体板块的市场情绪。

大同证券表示，一方面，宽基ETF呈现持续净申购态势，显示部分中长期资金借助指数工具进行逆势布局；另一方面，A股市场科技成长板块大幅调整，高低切换进一步演绎。从中长期产业视角观察，AI驱动的科技创新产业升级逻辑并未因短期市场波动而发生实质性逆转。当前科技板块的调整更多体现为交易层面的情绪宣泄，随着筹码结构的逐步优化，部分具备核心竞争力的科技细分领域存在估值修复的观察窗口。在半导体产业链方面，全球龙头台积电近期披露的超预期经营数据，进一步印证了全球半导体产业景气度的结构性分化与持续性，持续跟踪半导体设备、半导体材料、芯片等硬核科技细分领域当中相关产业链订单充足、中报业绩确定性强的方向。

东吴证券表示，功率密度升级倒逼供电架构重构：随着AI机柜功率迈入百千瓦级并向兆瓦级演进，传统低压、大电流供电方式在铜耗、线缆、母排及电源空间占用方面面临明显瓶颈，推动数据中心供电架构向800VDC架构升级。升级后供电系统能够降低导体的电阻损耗；节省机柜内空间占用；减少能量转换环节；便于储能及直流能源接入。我们认为800VDC架构的本质变化，是将传统机柜内PSU承担的AC/DC与DC/DC功能解耦：AC/DC被移至独立的侧边柜；计算机柜内仅保留靠近负载的DC/DC降压环节。从功率半导体角度看，SiC器件能够在承受较高电压和较大功率的同时维持较低损耗，更适合PowerRack侧的大功率AC/DC；GaN器件因开关速度较快、开关过程中的损耗较低，更适合ITRack侧DC/DC。宽禁带功率器件由此打开成长空间。

国金证券表示，从芯碁微装先进封装直写光刻设备看CoWoS-L+国产算力的高景气度，我们观察到封测厂同样在发生“AI挤占”，CoWoS-L成必争之地。我们看好CoWoS-L直写光刻设备在国内具备领先优势的龙头企业，建议关注先进封装厂CoWoS-L扩产及放量进展，以及先进封装材料包括环氧塑封料、湿电子化学品、键合、溅射靶材、底填胶等。

科创芯片设计ETF易方达（589030.SH）跟踪科创芯片设计指数（950162.CSI），是目前市场上GPU、CPU等AI芯片含量最高的半导体主题指数产品。成分股集中于科创板芯片设计类企业，前五大权重股包括澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪，具有较高的AI产业链纯度和弹性特征，投资者可关注该产品在国产大模型生态成熟和算力需求释放背景下的配置机会。