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长鑫科技LPDDR6接近研发验证尾声
财闻
2026-08-01 11:16:19
采用1295 Ball（焊球）的POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能比LPDDR5X（LPDDR5的强化版）产品有明显优化提升。
8月1日，据第一财经消息，行业人士透露，长鑫存储的LPDDR6（第六代低功耗双倍数据速率内存标准）已接近研发验证尾声，这是量产前的重要一步。今年3月便有市场消息称，长鑫科技旗下的长鑫存储在积极推进LPDDR6产品落地，并已向核心客户送样，有望2026年下半年发布并实现量产导入。相关信息称长鑫首款LPDDR6产品的设计规格速率为12800 Mbps，与SoC（系统级芯片）协同的运行基础速率为10667Mbps，颗粒容量16Gb，采用1295 Ball（焊球）的POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能比LPDDR5X（LPDDR5的强化版）产品有明显优化提升。
