三星亮出3D内存“技术核弹”，科创芯片设计ETF易方达涨3.41%

截至8月5日10点9分，上证指数涨0.55%，深证成指涨0.24%，创业板指跌0.79%。电子化学品、小金属、中芯国际概念等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片设计ETF易方达（589030）涨3.41%，成分股裕太微-U（688515.SH）、普冉股份（688766.SH）、芯朋微（688508.SH）、新相微（688593.SH）、中微半导（688380.SH）涨超5%，杰华特（688141.SH）、海光信息（688041.SH）、东芯股份（688110.SH）、睿创微纳（688002.SH）、翱捷科技-U（688220.SH）等上涨。

消息面上，三星电子在美国加州“未来内存与存储”大会上集中展示面向AI时代的下一代内存技术，包括超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构。其中V10B V-NAND采用晶圆键合架构，存储密度较前代提升约58%，读写速度与输入输出性能均得到改善。

长江证券指出，半导体设备是存储芯片产业链实现产能扩张与技术迭代的底层支撑，从前道光刻、刻蚀等核心工艺的制程升级，到中后道TSV硅通孔与先进封装的产能构建，设备投资在存储扩产周期中具备显著的前置效应。

东吴证券表示，AI驱动HBM需求爆发，DRAM供需持续偏紧，全球存储进入新一轮扩产周期。AI训练及推理需求持续增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升，同时单芯片HBM容量、堆叠层数及带宽持续升级，HBM需求呈现量价齐升趋势。我们测算，全球HBMwafer需求将由2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%。由于HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能，AI对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解，全球DRAM供需仍将维持紧平衡，国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。

广发证券表示，WFE扩产与先进封装助推ATE市场规模增长。根据公司26Q2业绩会，AI数据中心建设推动晶圆厂增加先进制程和产能投入，WFE市场有望在本十年末接近2500亿美元，带动300mm晶圆产量每年增长5%-10%、晶体管和存储位元产量中期复合增长15%-20%。随着AI芯片集成更多Chiplet、存储芯片及CPO，潜在缺陷对最终封装良率的影响放大，推动客户提高芯片质量要求和测试强度。ATE占半导体设备支出的比例由2023年的约4%提高至2025年的约7%，2026年前5个月达到8%，长期可能稳定在7%-9%。在晶圆产量和测试价值量共同提升下，ATE市场有望在本十年末达到或超过200亿美元。

科创芯片设计ETF易方达（589030.SH）跟踪科创芯片设计指数（950162.CSI），是目前市场上GPU、CPU等AI芯片含量最高的半导体主题指数产品。成分股集中于科创板芯片设计类企业，前五大权重股包括澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪，具有较高的AI产业链纯度和弹性特征，投资者可关注该产品在国产大模型生态成熟和算力需求释放背景下的配置机会。