三星发布下一代AI内存技术，全球存储进入新一轮扩产周期

截至8月5日10点48分，上证指数涨0.91%，深证成指涨0.77%，创业板指跌0.08%。贵金属、电子化学品、小金属等板块涨幅居前。

ETF方面，科技ETF易方达（159807）涨3.21%，成分股中微公司（688012.SH）涨超10%，盛美上海（688082.SH）、北方华创（002371.SZ）、三环集团（300408.SZ）、生益科技（600183.SH）、华润微（688396.SH）涨超5%，兆易创新（603986.SH）、海光信息（688041.SH）、瑞芯微（603893.SH）、同花顺（300033.SZ）等上涨。

消息面上，三星电子在美国加州“未来内存与存储”大会上集中展示面向AI时代的下一代内存技术，包括超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构。其中V10B V-NAND采用晶圆键合架构，存储密度较前代提升约58%，读写速度与输入输出性能均得到改善。这一技术进展强化了AI发展对先进存储芯片及上游半导体设备需求的长期逻辑，直接催化了半导体设备板块的市场情绪。

浙商证券表示，截至8月3日，EpochAI统计全球AI芯片累计出货等效算力约25.9MH100e。最大供应商：Nvidia累计约18063kH100e，其次GoogleTPU系列约4837kH100e，之后Amazon（1021k）、AMD（1252k）、华为（708k）构成第二梯队。主力芯片中，Blackwell代B300累计出货约7088kH100e（出货约2805k颗）超越H100（4317kH100e）成为存量最大单品，B200（5953kH100e）同步快速爬坡，单芯片等效算力为H100的2.53倍。当周AI芯片出货格局延续Nvidia主导（累计占比约70%）、Blackwell加速替代Hopper的趋势，自研芯片（TPU/Trainium）份额保持稳定（累计占比约23%）。

东吴证券表示，AI驱动HBM需求爆发，DRAM供需持续偏紧，全球存储进入新一轮扩产周期。AI训练及推理需求持续增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升，同时单芯片HBM容量、堆叠层数及带宽持续升级，HBM需求呈现量价齐升趋势。我们测算，全球HBMwafer需求将由2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%。由于HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能，AI对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解，全球DRAM供需仍将维持紧平衡，国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。

华鑫证券表示，根据TrendForce，2026年全球九大云端服务供应商（CSP）总资本支出将同比大涨约90%至8867亿美元，2027年将进一步扩大至约1.3万亿美元（同比+49%），高基期下增速收敛并非投资趋缓。2026年AI服务器出货年增幅度从28%上调至近31%。北美五大CSP（谷歌、亚马逊、Meta、微软、甲骨文）合计占比近90%，各自资本支出大多翻倍；中国大陆CSP（字节跳动、腾讯、阿里、百度）合计同比大涨超80%，字节跳动投入力度最大。展望2027年，产业增长有望从以GPU扩张为主，转向AI服务器、液冷散热、先进封装、高速互联、电源和内存等基础设施全面升级，AI推理、AgenticAI、自研ASIC和新一代模型持续推升算力需求。

科技ETF易方达（159807.SZ）跟踪中证科技50指数，布局中国科技龙头核心资产，前五大权重股包括中际旭创、恒瑞医药、寒武纪、海光信息、中芯国际。