高盛:半导体设备需求狂飙,中微公司迎来新一轮价值重估
中微在超高深宽比刻蚀等关键技术领域具备领先优势,并正通过平台化战略向CMP、量检测等新品类扩张,以捕捉国产替代机遇。
近日,高盛发布关于中微公司(688012.SH)的研究报告,认为其二季度业绩虽因高研发投入导致营业利润低于预期,但长期增长逻辑依然稳固。报告指出,下半年在AI驱动及存储与逻辑客户资本开支加速的背景下,公司订单动能将增强。中微在超高深宽比刻蚀等关键技术领域具备领先优势,并正通过平台化战略向CMP、量检测等新品类扩张,以捕捉国产替代机遇。高盛维持“买入”评级,基于2030年56倍PE折现给出577元目标价,同时提示贸易限制、出口管制及下游资本开支不及预期等风险。
中微公司第二季度实现营收36.78亿元,与高盛及市场预期基本一致。净利润为18.95亿元,同比增长显著。然而,更能反映主营业务健康状况的营业利润为4亿元,低于高盛及市场预期,主要原因是研发费用创下单季新高。管理层在业绩说明会上明确表示,高强度的研发投入旨在推进超高深宽比刻蚀、化学机械抛光(CMP)、量检测等新产品的开发。虽然这短期内压制了利润表现,但却是公司为拓展更广阔市场空间、巩固技术领先地位所进行的必要战略投入。高盛对此表示认可,认为短期的财务“阵痛”是为长期增长进行的“蓄力”,核心在于公司能否将研发成果转化为未来的市场份额与收入。
高盛对中微公司下半年的订单增长持乐观态度。其判断依据主要来自两方面:一是行业需求驱动,二是公司技术进展。在行业层面,全球半导体设备(WFE)支出在人工智能等大趋势驱动下持续增长,国内存储和逻辑芯片客户的资本开支正在加速,这为中微等设备商提供了坚实的订单基础。管理层亦在电话会中确认,下半年订单增长动能将更为强劲。
在产品与技术层面,中微公司的核心竞争力正从刻蚀设备向更前沿领域延伸。其中,“超高深宽比刻蚀”被视为未来几年的关键技术变量。随着存储芯片从二维平面结构向三维堆叠结构转型,对深孔刻蚀的需求急剧增加。中微公司是国内最早布局该领域的公司之一,其90:1超高深宽比刻蚀设备正与多个客户合作推进,预计将逐步放量。高盛认为,此项技术的成功量产应用,将成为公司未来重要的收入和利润增长催化剂。
除了深耕刻蚀领域,中微公司正积极实施平台化发展战略,致力于从单一的刻蚀设备供应商向综合性半导体设备平台转型。公司业务范围正从刻蚀和薄膜沉积,拓展至CMP、量检测及先进封装设备等多个关键品类。高盛在报告中肯定了这一战略方向。当前,中国本土的晶圆厂和存储厂对国产设备的需求是全方位的,覆盖整个工艺链条。能够提供更广泛产品组合的设备商,将有望在国产化替代浪潮中获取更大的市场份额。尽管中微在这些新品类上的当前份额尚小,但任何技术突破都将打开显著的增量市场空间。高盛的盈利预测模型也体现了对这一逻辑的认可,预计公司2026至2028年营业利润复合增长率可达约67%,平台化扩张是支撑这一高增速的核心逻辑之一。
基于上述分析,高盛采用2030年折现市盈率(PE)法进行估值,给予中微公司56倍的目标市盈率,并推导出577元的目标价,较当前股价有接近60%的上行空间。高盛同时微幅上调了公司2026至2028年的净利润预测,表明二季度的研发超支并未动摇其对公司长期盈利能力的信心。然而,报告也提示了若干下行风险,主要包括:贸易限制可能从先进制程扩大至成熟制程;针对可用于5纳米及以下先进制程的刻蚀设备的出口管制可能进一步收紧;以及国内主要晶圆厂资本开支可能低于预期,导致设备订单增长放缓。
总体而言,高盛的报告描绘了中微公司一幅“短期投入、长期收获”的图景。公司在半导体设备这一资本与技术密集型赛道中,正通过持续的高强度研发,瞄准关键“卡脖子”环节进行突破,并借助平台化战略拓宽成长边界。其未来表现,将深度绑定于全球半导体行业周期、国内产业链自主化进程以及自身技术商业化落地的速度。对于投资者而言,理解其技术护城河的深度、订单增长的可持续性以及宏观环境的风险,是评估其投资价值的关键。

